非晶氧化物膜的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010203204.7

申请日：

2006-09-05

公开(公告)号：

CN101859711B

公开(公告)日：

2010-10-13

发明(设计)人：

岩崎达哉

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21363

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

魏小薇

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/363 申请日:20060905 授权公告日:20120704 终止日期:20200905
2010-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101018887920 IPC(主分类):H01L 21/363 专利申请号:2010102032047 申请日:20060905
2010-10-13	公开	公开
2012-07-04	授权	授权

共 50 条

[1]

非晶氧化物膜的制造方法 [P].

岩崎达哉 .

中国专利 :CN102496577A ,2012-06-13

[2]

使用非晶氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管、使用非晶氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管的制造方法、以及非晶氧化物膜的制造方法 [P].

岩崎达哉 .

中国专利 :CN101258607B ,2008-09-03

[3]

制造氧化物膜的方法 [P].

安藤公一 .

中国专利 :CN1236980A ,1999-12-01

[4]

使用非晶氧化物半导体膜的薄膜晶体管的制造方法 [P].

板垣奈穗 ;

田透 ;

加地信幸 ;

林享 ;

佐野政史 .

中国专利 :CN101506986A ,2009-08-12

[5]

非晶质复合氧化膜、结晶质复合氧化膜、非晶质复合氧化膜的制造方法、结晶质复合氧化膜的制造方法及复合氧化物烧结体 [P].

生泽正克 ;

矢作政隆 .

中国专利 :CN101688288A ,2010-03-31

[6]

非晶质复合氧化膜、结晶质复合氧化膜、非晶质复合氧化膜的制造方法、结晶质复合氧化膜的制造方法及复合氧化物烧结体 [P].

生泽正克 ;

矢作政隆 ;

长田幸三 ;

挂野崇 .

中国专利 :CN105063555A ,2015-11-18

[7]

复合氧化物烧结体、非晶复合氧化膜及其制造方法和晶体复合氧化膜及其制造方法 [P].

生泽正克 ;

矢作政隆 ;

长田幸三 ;

挂野崇 .

中国专利 :CN101687708B ,2010-03-31

[8]

非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法 [P].

金天弘 ;

塔利斯·扬·张 ;

约翰·贤哲·洪 .

中国专利 :CN103959477A ,2014-07-30

[9]

非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法 [P].

金天弘 ;

约翰·贤哲·洪 ;

潘耀玲 .

中国专利 :CN103503149A ,2014-01-08

[10]

非晶氧化物半导体存储器件 [P].

V·H·勒 ;

A·A·夏尔马 ;

G·杜威 ;

R·皮拉里塞泰 ;

S·希瓦拉曼 ;

王奕 ;

J·T·卡瓦列罗斯 ;

T·加尼 .

中国专利 :CN109997224A ,2019-07-09

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