非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280021881.4

申请日：

2012-03-12

公开(公告)号：

CN103503149A

公开(公告)日：

2014-01-08

发明(设计)人：

金天弘约翰·贤哲·洪潘耀玲

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2966

IPC分类号：

H01L29786

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

孙宝成

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101741607156 IPC(主分类):H01L 29/66 专利号:ZL2012800218814 登记生效日:20161026 变更事项:专利权人变更前权利人:高通MEMS科技公司变更后权利人:追踪有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:美国加利福尼亚州
2016-08-24	授权	授权
2014-01-08	公开	公开
2014-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101570128408 IPC(主分类):H01L 29/66 专利申请号:2012800218814 申请日:20120312

共 50 条

[1]

非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法 [P].

金天弘 ;

塔利斯·扬·张 ;

约翰·贤哲·洪 .

中国专利 :CN103959477A ,2014-07-30

[2]

非晶氧化物半导体、半导体器件和薄膜晶体管 [P].

薮田久人 ;

远藤文德 ;

加地信幸 ;

林享 .

中国专利 :CN101669208A ,2010-03-10

[3]

氧化锌基非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

尹盛 ;

李小月 ;

徐东 .

中国专利 :CN103840011A ,2014-06-04

[4]

使用非晶氧化物半导体膜的薄膜晶体管的制造方法 [P].

板垣奈穗 ;

田透 ;

加地信幸 ;

林享 ;

佐野政史 .

中国专利 :CN101506986A ,2009-08-12

[5]

非晶氧化物半导体和使用其的薄膜晶体管 [P].

林享 ;

大村秀之 ;

云见日出也 ;

重里有三 .

中国专利 :CN103077961A ,2013-05-01

[6]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

岛田干夫 .

中国专利 :CN101884110A ,2010-11-10

[7]

非晶氧化物半导体和使用其的薄膜晶体管 [P].

林享 ;

大村秀之 ;

云见日出也 ;

重里有三 .

中国专利 :CN101661952A ,2010-03-03

[8]

一种多元非晶氧化物半导体薄膜及其薄膜晶体管 [P].

吕建国 ;

陆波静 .

中国专利 :CN108987467A ,2018-12-11

[9]

晶体氧化物半导体薄膜、晶体氧化物半导体薄膜的制造方法以及薄膜晶体管 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

霍间勇辉 ;

笘井重和 ;

江端一晃 .

中国专利 :CN107924822A ,2018-04-17

[10]

一种非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 [P].

郭宇锋 ;

黄辰阳 ;

黄晓明 ;

张珺 ;

姚佳飞 ;

张茂林 ;

刘建华 .

中国专利 :CN115084276B ,2024-06-18

← 1 2 3 4 5 →