非晶氧化物半导体、半导体器件和薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880013223.4

申请日：

2008-04-15

公开(公告)号：

CN101669208A

公开(公告)日：

2010-03-10

发明(设计)人：

薮田久人远藤文德加地信幸林享

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2924

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

魏小薇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-10	公开	公开
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001298889 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2008800132234 申请日:20080415
2011-05-18	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

岛田干夫 .

中国专利 :CN101884110A ,2010-11-10

[2]

非晶氧化物半导体和使用其的薄膜晶体管 [P].

林享 ;

大村秀之 ;

云见日出也 ;

重里有三 .

中国专利 :CN103077961A ,2013-05-01

[3]

非晶氧化物半导体和使用其的薄膜晶体管 [P].

林享 ;

大村秀之 ;

云见日出也 ;

重里有三 .

中国专利 :CN101661952A ,2010-03-03

[4]

非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法 [P].

金天弘 ;

塔利斯·扬·张 ;

约翰·贤哲·洪 .

中国专利 :CN103959477A ,2014-07-30

[5]

非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法 [P].

金天弘 ;

约翰·贤哲·洪 ;

潘耀玲 .

中国专利 :CN103503149A ,2014-01-08

[6]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

黄金海 ;

孙伯彰 ;

黄思齐 .

中国专利 :CN103474468A ,2013-12-25

[7]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107749422A ,2018-03-02

[8]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN108962724A ,2018-12-07

[9]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN105393360B ,2016-03-09

[10]

一种多元非晶氧化物半导体薄膜及其薄膜晶体管 [P].

吕建国 ;

陆波静 .

中国专利 :CN108987467A ,2018-12-11

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