氧化锌基非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410066494.3

申请日：

2014-02-26

公开(公告)号：

CN103840011A

公开(公告)日：

2014-06-04

发明(设计)人：

尹盛李小月徐东

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L29227 H01L2922 H01L2134

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

梁鹏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583367556 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2014100664943 申请日:20140226
2017-01-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回申请公布日:20140604 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101745221947 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2014100664943
2014-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法 [P].

金天弘 ;

塔利斯·扬·张 ;

约翰·贤哲·洪 .

中国专利 :CN103959477A ,2014-07-30

[2]

非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法 [P].

金天弘 ;

约翰·贤哲·洪 ;

潘耀玲 .

中国专利 :CN103503149A ,2014-01-08

[3]

非晶氧化锌薄膜晶体管及其制造方法 [P].

金昌桢 ;

宋利宪 ;

姜东勋 ;

朴永洙 .

中国专利 :CN101060139A ,2007-10-24

[4]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

吕雅茹 ;

吴国伟 ;

曹文光 ;

苏正芳 ;

高金字 .

中国专利 :CN105374881A ,2016-03-02

[5]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

崔淳浩 ;

文成龙 .

中国专利 :CN107690696A ,2018-02-13

[6]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

王航 .

中国专利 :CN114823915A ,2022-07-29

[7]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

竹知和重 .

中国专利 :CN114530505B ,2025-09-12

[8]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

张宁 .

中国专利 :CN108598171A ,2018-09-28

[9]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

张锡明 .

中国专利 :CN103354244B ,2013-10-16

[10]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

王盛民 ;

尹柱善 ;

徐泰安 ;

金正晥 .

中国专利 :CN102468341A ,2012-05-23

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