一种基于化学气相沉积的半导体复合材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910730634.5

申请日：

2019-08-08

公开(公告)号：

CN110508296A

公开(公告)日：

2019-11-29

发明(设计)人：

吴亿相倩李凡陈文龙马艳玲施枫磊邬剑波邓涛陶鹏宋成轶尚文

申请人：

申请人地址：

200030 上海市徐汇区华山路1954号

IPC主分类号：

B01J27057

IPC分类号：

C25B104 C25B1106

代理机构：

上海科盛知识产权代理有限公司 31225

代理人：

刘燕武

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-29	公开	公开
2019-12-06	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):B01J 27/057 变更事项:申请人变更前:上海交通大学变更后:上海交通大学变更事项:地址变更前:200030 上海市徐汇区华山路1954号变更后:200030 上海市闵行区东川路800号
2019-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 27/057 申请日:20190808

共 50 条

[1]

一种复合半导体材料的化学气相沉积协同制备工艺 [P].

孙洲 .

中国专利 :CN119956318A ,2025-05-09

[2]

一种半导体材料的化学气相沉积装置及其方法 [P].

占婷婷 ;

黄辉 ;

渠波 ;

赵丹娜 ;

宗杨 ;

吕瑞 .

中国专利 :CN106148913B ,2016-11-23

[3]

化学气相沉积法制备炭黑增强的炭/炭复合材料 [P].

赵建国 ;

张素芳 ;

仝庆华 ;

杨亚妮 ;

郭永 ;

冯锋 .

中国专利 :CN101531537A ,2009-09-16

[4]

通过化学气相沉积制备纳米复合材料的方法 [P].

索菲·马耶 ;

劳伦特·比德尔 ;

法布里斯·埃米厄 .

中国专利 :CN101784695A ,2010-07-21

[5]

一种利用化学气相沉积制备复合材料的装置 [P].

蒋旭 ;

田瑞雪 .

中国专利 :CN208362458U ,2019-01-11

[6]

一种利用化学气相沉积制备复合材料的装置及方法 [P].

蒋旭 ;

田瑞雪 .

中国专利 :CN110344020A ,2019-10-18

[7]

一种快速制备陶瓷基复合材料的化学气相沉积方法 [P].

阳海棠 ;

廖海洋 ;

张涛 ;

何玉金 ;

李俊锋 .

中国专利 :CN118420363A ,2024-08-02

[8]

一种基于溶液涂覆和化学气相沉积制备二维材料的方法 [P].

蒋锴 ;

龚成师 ;

李伟洁 ;

李永军 ;

李积雅 ;

张正荣 ;

王光毅 ;

李居平 ;

甄小娟 ;

柳慧玲 ;

蒙旭娟 ;

郭晨晓 .

中国专利 :CN118497886A ,2024-08-16

[9]

一种二维半导体材料化学气相沉积装置 [P].

肖佳展 ;

郑嘉璐 .

中国专利 :CN220846260U ,2024-04-26

[10]

一种半导体化学气相沉积支架 [P].

王宜 .

中国专利 :CN212864963U ,2021-04-02

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