一种复合半导体材料的化学气相沉积协同制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510124107.5

申请日：

2025-01-26

公开(公告)号：

CN119956318A

公开(公告)日：

2025-05-09

发明(设计)人：

孙洲

申请人：

天津赛威工业技术有限公司

申请人地址：

300457 天津市滨海新区经济技术开发区南海路156号28-A

IPC主分类号：

C23C16/32

IPC分类号：

C23C16/26 C23C16/455 B01J23/83 B01J23/63 B01J23/89 B01J23/66

代理机构：

北京汇众通达知识产权代理事务所(普通合伙) 11622

代理人：

包洪岩

法律状态：

公开

国省代码：

天津市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-09	公开	公开
2025-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/32申请日:20250126

共 50 条

[1]

一种基于化学气相沉积的半导体复合材料的制备方法 [P].

吴亿 ;

相倩 ;

李凡 ;

陈文龙 ;

马艳玲 ;

施枫磊 ;

邬剑波 ;

邓涛 ;

陶鹏 ;

宋成轶 ;

尚文 .

中国专利 :CN110508296A ,2019-11-29

[2]

一种半导体材料的化学气相沉积装置及其方法 [P].

占婷婷 ;

黄辉 ;

渠波 ;

赵丹娜 ;

宗杨 ;

吕瑞 .

中国专利 :CN106148913B ,2016-11-23

[3]

一种二维半导体材料化学气相沉积装置 [P].

肖佳展 ;

郑嘉璐 .

中国专利 :CN220846260U ,2024-04-26

[4]

一种半导体化学气相沉积支架 [P].

王宜 .

中国专利 :CN212864963U ,2021-04-02

[5]

一种半导体化学气相沉积支架 [P].

吉学东 .

中国专利 :CN210575892U ,2020-05-19

[6]

一种半导体化学气相沉积CVD设备 [P].

刘俊明 ;

梁明敏 ;

赵杰 .

中国专利 :CN120866800A ,2025-10-31

[7]

二维半导体材料化学气相沉积方法及其装置 [P].

何焱腾 ;

陈乃榕 .

中国专利 :CN115094400A ,2022-09-23

[8]

具有高效清洁能力的化学气相沉积设备及半导体工艺方法 [P].

周云 ;

宋维聪 .

中国专利 :CN111424260A ,2020-07-17

[9]

一种化学气相沉积制备石墨烯的方法 [P].

林耀朋 ;

张旭 ;

吴军 .

中国专利 :CN103409728A ,2013-11-27

[10]

一种半导体生产用化学气相沉积装置 [P].

梁亚 .

中国专利 :CN108588683A ,2018-09-28

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