具有高效清洁能力的化学气相沉积设备及半导体工艺方法

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专利类型
发明
申请号
CN202010515432.1
申请日
2020-06-09
公开(公告)号
CN111424260A
公开(公告)日
2020-07-17
发明(设计)人
周云 宋维聪
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19501-19503室
IPC主分类号
C23C1644
IPC分类号
H01L2167
代理机构
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人
余明伟
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
化学气相沉积设备的清洁方法 [P]. 
赖建兴 ;
王俊宜 .
中国专利 :CN100549226C ,2007-10-31
[2]
制造半导体发光器件的方法以及化学气相沉积设备 [P]. 
韩尚宪 ;
金南星 ;
金东俊 ;
司空坦 ;
申东益 ;
李焘英 ;
李庭旭 .
中国专利 :CN103996753A ,2014-08-20
[3]
化学气相沉积设备的安装方法及化学气相沉积设备 [P]. 
沈建飞 ;
徐皓 ;
潘雯海 ;
胡小栋 .
中国专利 :CN101994100A ,2011-03-30
[4]
化学气相沉积载台结构及化学气相沉积设备 [P]. 
朱合意 ;
贾钊 ;
窦志珍 ;
胡恒广 .
中国专利 :CN222524669U ,2025-02-25
[5]
用以制造半导体装置的化学气相沉积设备的喷头 [P]. 
李承善 ;
徐现模 .
中国专利 :CN1319126C ,2003-10-22
[6]
化学气相沉积炉及化学气相沉积设备 [P]. 
朱伟杰 ;
顾志强 ;
戴建庭 ;
董宁 ;
李强 .
中国专利 :CN209522919U ,2019-10-22
[7]
化学气相沉积设备的气路结构及化学气相沉积设备 [P]. 
卢山 ;
陈神星 ;
姜鼎 ;
黄荣 .
中国专利 :CN216473473U ,2022-05-10
[8]
针对晶圆晶边的化学气相沉积工艺腔及化学气相沉积方法 [P]. 
范荣伟 ;
龙吟 ;
顾晓芳 ;
陈宏璘 .
中国专利 :CN105040097A ,2015-11-11
[9]
化学气相沉积设备及使用其形成半导体外延薄膜的方法 [P]. 
孟钟先 ;
金荣善 ;
沈炫旭 ;
金晟泰 .
中国专利 :CN102330072A ,2012-01-25
[10]
一种化学气相沉积设备的清洁方法 [P]. 
卢嘉 .
中国专利 :CN114369812A ,2022-04-19