制造半导体发光器件的方法以及化学气相沉积设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410051132.7

申请日：

2014-02-14

公开(公告)号：

CN103996753A

公开(公告)日：

2014-08-20

发明(设计)人：

韩尚宪金南星金东俊司空坦申东益李焘英李庭旭

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L21205 C23C1634

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

陈源;张帆

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-20	公开	公开
2016-10-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101739738219 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2014100511327 申请公布日:20140820

共 50 条

[1]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

中津弘志 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 .

中国专利 :CN1319183C ,2004-05-19

[2]

制造半导体发光器件的方法 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN103975451B ,2014-08-06

[3]

化学气相沉积设备和使用该设备制造发光器件的方法 [P].

金俊佑 ;

竹谷元伸 ;

许寅会 ;

金秋浩 ;

李在凤 .

中国专利 :CN103329249A ,2013-09-25

[4]

半导体发光器件、半导体发光装置以及制造半导体发光器件的方法 [P].

村本卫司 ;

布上真也 ;

冈俊行 .

中国专利 :CN102326265B ,2012-01-18

[5]

用以制造半导体装置的化学气相沉积设备的喷头 [P].

李承善 ;

徐现模 .

中国专利 :CN1319126C ,2003-10-22

[6]

化学气相沉积方法及利用其制造发光器件的方法 [P].

金范埈 ;

金起成 ;

金荣善 ;

高德吉 ;

林珍永 ;

郑义俊 .

中国专利 :CN102888594A ,2013-01-23

[7]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

后藤田徹 ;

名古肇 ;

冈俊行 ;

财满康太郎 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102194986A ,2011-09-21

[8]

半导体发光器件、制造方法以及半导体发光器件封装件 [P].

崔繁在 ;

李镇贤 ;

朴基烈 ;

赵明洙 .

中国专利 :CN101820038A ,2010-09-01

[9]

半导体发光器件、制造方法以及半导体发光器件封装件 [P].

崔繁在 ;

李镇贤 ;

朴基烈 ;

赵明洙 .

中国专利 :CN102522473A ,2012-06-27

[10]

半导体发光器件以及半导体器件的制造方法 [P].

S·E·霍珀 ;

V·鲍斯奎特 ;

J·赫弗尔南 .

中国专利 :CN100477304C ,2006-11-01

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