用以制造半导体装置的化学气相沉积设备的喷头

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03120956.4

申请日：

2003-03-21

公开(公告)号：

CN1319126C

公开(公告)日：

2003-10-22

发明(设计)人：

李承善徐现模

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C23C1600 B05B100

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

戈泊;程伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-05-30	授权	授权
2003-10-22	公开	公开
2019-03-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20030321 授权公告日:20070530 终止日期:20180321
2005-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

制造半导体发光器件的方法以及化学气相沉积设备 [P].

韩尚宪 ;

金南星 ;

金东俊 ;

司空坦 ;

申东益 ;

李焘英 ;

李庭旭 .

中国专利 :CN103996753A ,2014-08-20

[2]

用于化学气相沉积设备的喷头 [P].

许亮 .

中国专利 :CN201915143U ,2011-08-03

[3]

一种化学气相沉积喷头及化学气相沉积设备 [P].

方鹏 .

中国专利 :CN223674737U ,2025-12-16

[4]

半导体镀膜设备的喷淋装置、化学气相沉积设备及其操作方法 [P].

荒见淳一 ;

周仁 ;

苏欣 .

中国专利 :CN108677167A ,2018-10-19

[5]

化学气相沉积设备 [P].

艾青南 ;

周贺 ;

胡青飞 .

中国专利 :CN103924217A ,2014-07-16

[6]

化学气相沉积设备 [P].

周向阳 .

中国专利 :CN222923231U ,2025-05-30

[7]

化学气相沉积设备 [P].

王树林 ;

李鹏飞 ;

袁运辉 ;

李阳阳 .

中国专利 :CN223674734U ,2025-12-16

[8]

用于化学气相沉积设备的加热装置和化学气相沉积设备 [P].

麻鹏达 ;

薛运周 ;

鲁天豪 .

中国专利 :CN117512572A ,2024-02-06

[9]

化学气相沉积设备的密封装置以及化学气相沉积设备 [P].

马彪 .

中国专利 :CN221097428U ,2024-06-07

[10]

用于化学气相沉积设备的加热装置及化学气相沉积设备 [P].

李瑞 ;

施广涛 ;

万红 ;

胡启凡 .

中国专利 :CN119465068A ,2025-02-18

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