一种制备单层过渡金属二硫化物柔性光电探测器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910799014.7

申请日：

2019-08-28

公开(公告)号：

CN110611012A

公开(公告)日：

2019-12-24

发明(设计)人：

坚佳莹岳皎洁董芃凡骆磊白泽文常洪龙坚增运

申请人：

申请人地址：

710032 陕西省西安市未央区学府中路2号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

西安新思维专利商标事务所有限公司 61114

代理人：

李凤鸣

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 31/18 申请公布日:20191224
2020-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20190828
2019-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

基于层状过渡金属硫化物的柔性光电探测器及其制备方法 [P].

坚佳莹 ;

董芃凡 ;

常洪龙 ;

坚增运 .

中国专利 :CN110676332B ,2020-01-10

[2]

过渡金属二硫化物单层晶体的相控合成方法 [P].

张华 ;

翟伟 ;

王永吉 .

中国专利 :CN118422326A ,2024-08-02

[3]

一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的光子探测器 [P].

安义鹏 ;

朱明甫 ;

马传琦 ;

马天里 ;

刘尚鑫 ;

赵永 ;

武大鹏 ;

赵传熙 ;

康军帅 ;

焦照勇 .

中国专利 :CN111146307A ,2020-05-12

[4]

一种模拟化学气相沉积生长单层过渡金属硫化物的方法 [P].

邵鹏 ;

赵梓利 ;

丁利苹 ;

张辉 ;

张方辉 ;

雷涛 ;

田董昀昊 .

中国专利 :CN112342523B ,2021-02-09

[5]

过渡金属硫化物对电极的制备及应用 [P].

王育乔 ;

白一超 ;

杨大伟 ;

孙岳明 .

中国专利 :CN105845444A ,2016-08-10

[6]

一种二硫化物单晶及其制备方法和用途 [P].

郑建邦 ;

朱美洁 ;

赵耀华 ;

冯晴亮 .

中国专利 :CN109183156A ,2019-01-11

[7]

碱金属插层过渡金属二硫化物的制备方法 [P].

吕晴 ;

李强 .

中国专利 :CN101948099B ,2011-01-19

[8]

一种自支撑过渡金属二硫化物/碳复合薄膜的制备方法 [P].

吕瑞涛 ;

王旭阳 ;

黄正宏 ;

沈万慈 ;

康飞宇 .

中国专利 :CN105514446A ,2016-04-20

[9]

过渡金属二硫化物增强石墨烯基SERS装置及其制备方法 [P].

隋学森 .

中国专利 :CN111504975B ,2020-08-07

[10]

一种过渡金属二硫化物纳米材料的制备方法 [P].

丁宏卫 ;

杨静静 ;

李国印 ;

刘学良 ;

吴超鹏 ;

靳林 .

中国专利 :CN120483265A ,2025-08-15

← 1 2 3 4 5 →