过渡金属二硫化物增强石墨烯基SERS装置及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010358216.0

申请日：

2020-06-04

公开(公告)号：

CN111504975B

公开(公告)日：

2020-08-07

发明(设计)人：

隋学森

申请人：

申请人地址：

266000 山东省青岛市黄岛区大清河路新兴产业园

IPC主分类号：

G01N2165

IPC分类号：

B82Y1500

代理机构：

山东诺诚智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 37309

代理人：

李海英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/65 申请日:20200604
2020-08-07	公开	公开
2023-01-13	授权	授权

共 50 条

[1]

NiS2增强石墨烯基SERS装置及其制备方法 [P].

隋学森 .

中国专利 :CN111501043A ,2020-08-07

[2]

碱金属插层过渡金属二硫化物的制备方法 [P].

吕晴 ;

李强 .

中国专利 :CN101948099B ,2011-01-19

[3]

过渡金属二硫化物量子点溶液及其制备方法和应用 [P].

陈志刚 ;

蔡航 .

中国专利 :CN121022403A ,2025-11-28

[4]

过渡金属二硫化物单层晶体的相控合成方法 [P].

张华 ;

翟伟 ;

王永吉 .

中国专利 :CN118422326A ,2024-08-02

[5]

1T-相过渡金属二硫化物纳米片 [P].

罗伯特·杰夫 ;

安迪奈特·伊基古 ;

伊恩·金洛克 .

中国专利 :CN110214125A ,2019-09-06

[6]

保形金属二硫化物 [P].

辰丹·达斯 ;

苏米特·辛格·罗伊 ;

巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;

苏普里亚·戈什 ;

唐洁聪 ;

约翰·苏迪约诺 ;

阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ;

马克·萨利 .

美国专利 :CN118414449A ,2024-07-30

[7]

一种自支撑过渡金属二硫化物/碳复合薄膜的制备方法 [P].

吕瑞涛 ;

王旭阳 ;

黄正宏 ;

沈万慈 ;

康飞宇 .

中国专利 :CN105514446A ,2016-04-20

[8]

一种制备单层过渡金属二硫化物柔性光电探测器的方法 [P].

坚佳莹 ;

岳皎洁 ;

董芃凡 ;

骆磊 ;

白泽文 ;

常洪龙 ;

坚增运 .

中国专利 :CN110611012A ,2019-12-24

[9]

一种蓝磷/过渡金属二硫化物异质结阳极材料及制备方法 [P].

吴波 ;

彭琼 ;

萨百晟 ;

杨洪雷 ;

胡康明 .

中国专利 :CN106384811A ,2017-02-08

[10]

制备离子液体/过渡金属二硫化物气体分离膜的方法及其应用 [P].

彭新生 ;

陈丹科 ;

应文 .

中国专利 :CN106902648A ,2017-06-30

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