过渡金属二硫化物单层晶体的相控合成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311230549.5

申请日：

2023-09-22

公开(公告)号：

CN118422326A

公开(公告)日：

2024-08-02

发明(设计)人：

张华翟伟王永吉

申请人：

香港城市大学深圳研究院

申请人地址：

518057 广东省深圳市南山区高新区南区粤兴一道8号香港城市大学产学研大楼

IPC主分类号：

C30B25/02

IPC分类号：

C30B29/46

代理机构：

深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588

代理人：

王琴;曹玉存

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

四川省甘孜藏族自治州

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/02申请日:20230922
2024-08-02	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备单层过渡金属二硫化物柔性光电探测器的方法 [P].

坚佳莹 ;

岳皎洁 ;

董芃凡 ;

骆磊 ;

白泽文 ;

常洪龙 ;

坚增运 .

中国专利 :CN110611012A ,2019-12-24

[2]

1T-相过渡金属二硫化物纳米片 [P].

罗伯特·杰夫 ;

安迪奈特·伊基古 ;

伊恩·金洛克 .

中国专利 :CN110214125A ,2019-09-06

[3]

合成二硫化物的方法 [P].

兴川见 ;

修德田 ;

善英新本 .

中国专利 :CN1902167A ,2007-01-24

[4]

碱金属插层过渡金属二硫化物的制备方法 [P].

吕晴 ;

李强 .

中国专利 :CN101948099B ,2011-01-19

[5]

一种生长过渡金属二硫化物薄膜的方法 [P].

王新炜 ;

国政 .

中国专利 :CN108441841A ,2018-08-24

[6]

过渡金属二硫化物增强石墨烯基SERS装置及其制备方法 [P].

隋学森 .

中国专利 :CN111504975B ,2020-08-07

[7]

保形金属二硫化物 [P].

辰丹·达斯 ;

苏米特·辛格·罗伊 ;

巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;

苏普里亚·戈什 ;

唐洁聪 ;

约翰·苏迪约诺 ;

阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ;

马克·萨利 .

美国专利 :CN118414449A ,2024-07-30

[8]

一种蓝磷/过渡金属二硫化物异质结阳极材料及制备方法 [P].

吴波 ;

彭琼 ;

萨百晟 ;

杨洪雷 ;

胡康明 .

中国专利 :CN106384811A ,2017-02-08

[9]

一种自支撑过渡金属二硫化物/碳复合薄膜的制备方法 [P].

吕瑞涛 ;

王旭阳 ;

黄正宏 ;

沈万慈 ;

康飞宇 .

中国专利 :CN105514446A ,2016-04-20

[10]

锂过渡金属硫化物的合成方法 [P].

A·G·里奇 ;

P·G·鲍尔斯 .

中国专利 :CN1210826C ,2004-04-14

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