一种生长过渡金属二硫化物薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810261933.4

申请日：

2018-03-28

公开(公告)号：

CN108441841A

公开(公告)日：

2018-08-24

发明(设计)人：

王新炜国政

申请人：

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北大园区H栋208室

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

C23C16455

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268

代理人：

王永文;刘文求

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-09	授权	授权
2018-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/30 申请日:20180328
2018-08-24	公开	公开

共 50 条

[1]

碱金属插层过渡金属二硫化物的制备方法 [P].

吕晴 ;

李强 .

中国专利 :CN101948099B ,2011-01-19

[2]

一种过渡金属二硫化物薄膜的制备方法及热退火炉 [P].

庄萍萍 ;

林伟毅 ;

刘璟 ;

李波 ;

叶添 ;

闫晗 ;

曾聪 .

中国专利 :CN117446864B ,2024-12-13

[3]

一种过渡金属二硫化物薄膜的制备方法及热退火炉 [P].

庄萍萍 ;

林伟毅 ;

刘璟 ;

李波 ;

叶添 ;

闫晗 ;

曾聪 .

中国专利 :CN117446864A ,2024-01-26

[4]

过渡金属二硫化物单层晶体的相控合成方法 [P].

张华 ;

翟伟 ;

王永吉 .

中国专利 :CN118422326A ,2024-08-02

[5]

保形金属二硫化物 [P].

辰丹·达斯 ;

苏米特·辛格·罗伊 ;

巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;

苏普里亚·戈什 ;

唐洁聪 ;

约翰·苏迪约诺 ;

阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ;

马克·萨利 .

美国专利 :CN118414449A ,2024-07-30

[6]

一种自支撑过渡金属二硫化物/碳复合薄膜的制备方法 [P].

吕瑞涛 ;

王旭阳 ;

黄正宏 ;

沈万慈 ;

康飞宇 .

中国专利 :CN105514446A ,2016-04-20

[7]

一种过渡金属二硫化物纳米材料的制备方法 [P].

丁宏卫 ;

杨静静 ;

李国印 ;

刘学良 ;

吴超鹏 ;

靳林 .

中国专利 :CN120483265A ,2025-08-15

[8]

1T-相过渡金属二硫化物纳米片 [P].

罗伯特·杰夫 ;

安迪奈特·伊基古 ;

伊恩·金洛克 .

中国专利 :CN110214125A ,2019-09-06

[9]

表面生长过渡金属二硫化物的上转换发光纳米复合材料、制备方法及应用 [P].

孙丽宁 ;

汪姝含 ;

方建慧 ;

赵慧君 ;

王卓 ;

赵磊 .

中国专利 :CN108949151A ,2018-12-07

[10]

一种制备二硫化物的方法 [P].

安杰 ;

覃子轩 ;

王莉君 ;

李恒朝 ;

李笑 ;

旷子晨 ;

余治苑 .

中国专利 :CN114920673A ,2022-08-19

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