在微电子中用于铜沉积的流平剂

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580049614.1

申请日：

2015-09-15

公开(公告)号：

CN107079591A

公开(公告)日：

2017-08-18

发明(设计)人：

K·惠滕 V·小帕内卡西欧 T·理查森 E·鲁亚

申请人：

申请人地址：

美国康涅狄格

IPC主分类号：

H05K342

IPC分类号：

C25D502 C25D338

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

谭冀

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-05	授权	授权
2017-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101747179646 IPC(主分类):H05K 3/42 专利申请号:2015800496141 申请日:20150915
2017-08-18	公开	公开

共 50 条

[1]

微电子中的铜电沉积 [P].

小文森特·M·帕纳卡索 ;

林宣 ;

保罗·费格拉 ;

理查德·哈图比斯 ;

克里斯蒂娜·怀特 .

中国专利 :CN101416292B ,2009-04-22

[2]

用基于联吡啶的整平剂在微电子装置中电沉积铜 [P].

文森特·帕尼卡西奥 ;

林璇 ;

理查德·赫图贝斯 ;

陈青云 .

中国专利 :CN102362013B ,2012-02-22

[3]

微电子中的铜电沉积 [P].

文森特·派纳卡西奥 ;

林宣 ;

保罗·菲格瑞 ;

理查德·荷特比斯 .

中国专利 :CN101099231B ,2008-01-02

[4]

在微电子件中的铜的电沉积 [P].

文森·潘尼卡西欧 ;

凯力·惠登 ;

里查·贺图比兹 ;

约翰·康曼德 ;

艾瑞克·罗亚 .

美国专利 :CN117385426A ,2024-01-12

[5]

在微电子件中的铜的电沉积 [P].

文森·潘尼卡西欧 ;

凯力·惠登 ;

里查·贺图比兹 ;

约翰·康曼德 ;

艾瑞克·罗亚 .

中国专利 :CN109952390A ,2019-06-28

[6]

在制造微电子品的铜沉积中使用的调平组合物 [P].

文森·潘尼卡西欧 ;

凯力·惠登 ;

汤玛斯·B·理察生 ;

李伊凡 .

中国专利 :CN108779240B ,2018-11-09

[7]

应用于微电子的整平剂、整平剂组合物及其用于金属电沉积的方法 [P].

张芸 ;

马涛 ;

董培培 ;

朱自方 ;

陈晨 .

中国专利 :CN106170484A ,2016-11-30

[8]

用于阳离子电沉积涂料的流平剂 [P].

郭辉 ;

刘薇薇 ;

周贤 ;

陈豪杰 ;

柳昀 ;

郑子童 ;

林海莲 .

中国专利 :CN107189529A ,2017-09-22

[9]

用于铜电沉积的包含聚氨基酰胺型流平剂的组合物 [P].

M·阿诺德 ;

A·弗鲁格尔 ;

E·库特纳 ;

N·恩格尔哈特 .

德国专利 :CN118043502A ,2024-05-14

[10]

用于铜凸块电沉积的包含流平剂的组合物 [P].

M·阿诺德 ;

A·弗鲁格尔 ;

C·埃姆内特 ;

N·恩格尔哈特 .

中国专利 :CN114450438A ,2022-05-06

← 1 2 3 4 5 →