微电子中的铜电沉积

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580046448.6

申请日：

2005-11-14

公开(公告)号：

CN101099231B

公开(公告)日：

2008-01-02

发明(设计)人：

文森特·派纳卡西奥林宣保罗·菲格瑞理查德·荷特比斯

申请人：

申请人地址：

美国康耐提格州

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

代理机构：

北京金之桥知识产权代理有限公司 11137

代理人：

梁朝玉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-02	公开	公开
2011-06-29	授权	授权
2008-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

微电子中的铜电沉积 [P].

小文森特·M·帕纳卡索 ;

林宣 ;

保罗·费格拉 ;

理查德·哈图比斯 ;

克里斯蒂娜·怀特 .

中国专利 :CN101416292B ,2009-04-22

[2]

在微电子件中的铜的电沉积 [P].

文森·潘尼卡西欧 ;

凯力·惠登 ;

里查·贺图比兹 ;

约翰·康曼德 ;

艾瑞克·罗亚 .

美国专利 :CN117385426A ,2024-01-12

[3]

在微电子件中的铜的电沉积 [P].

文森·潘尼卡西欧 ;

凯力·惠登 ;

里查·贺图比兹 ;

约翰·康曼德 ;

艾瑞克·罗亚 .

中国专利 :CN109952390A ,2019-06-28

[4]

用基于联吡啶的整平剂在微电子装置中电沉积铜 [P].

文森特·帕尼卡西奥 ;

林璇 ;

理查德·赫图贝斯 ;

陈青云 .

中国专利 :CN102362013B ,2012-02-22

[5]

微电子中的铜电镀 [P].

文森特·派纳卡西奥 ;

林宣 ;

保罗·费古拉 ;

理查德·赫图拜斯 .

中国专利 :CN1918327B ,2007-02-21

[6]

在制造微电子品的铜沉积中使用的调平组合物 [P].

文森·潘尼卡西欧 ;

凯力·惠登 ;

汤玛斯·B·理察生 ;

李伊凡 .

中国专利 :CN108779240B ,2018-11-09

[7]

铜的电沉积 [P].

V·帕内卡西欧 ;

K·惠腾 ;

J·科曼德尔 ;

R·赫图比塞 ;

E·路亚 .

中国专利 :CN105917032A ,2016-08-31

[8]

在微电子中用于铜沉积的流平剂 [P].

K·惠滕 ;

V·小帕内卡西欧 ;

T·理查森 ;

E·鲁亚 .

中国专利 :CN107079591A ,2017-08-18

[9]

在半导体应用的电沉积铜中缺陷的降低 [P].

J·康曼德 ;

R·赫图比塞 ;

V·帕内卡西奥 ;

X·林 ;

K·吉拉格 .

中国专利 :CN100416777C ,2003-09-24

[10]

微电子电路中的互连部的钴填充 [P].

J·科曼得 ;

小V·潘恩卡修 ;

E·路亚 ;

K·惠顿 ;

孙绍鹏 .

中国专利 :CN107849722A ,2018-03-27

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