在半导体应用的电沉积铜中缺陷的降低

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03110785.0

申请日：

2003-03-05

公开(公告)号：

CN100416777C

公开(公告)日：

2003-09-24

发明(设计)人：

J·康曼德 R·赫图比塞 V·帕内卡西奥 X·林 K·吉拉格

申请人：

申请人地址：

美国康涅狄格州

IPC主分类号：

H01L213205

IPC分类号：

H01L21321 H01L21768 H01L2128 H01L2166

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

赵苏林;庞立志

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-09-24	公开	公开
2005-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-09-03	授权	授权

共 50 条

[1]

在微电子件中的铜的电沉积 [P].

文森·潘尼卡西欧 ;

凯力·惠登 ;

里查·贺图比兹 ;

约翰·康曼德 ;

艾瑞克·罗亚 .

美国专利 :CN117385426A ,2024-01-12

[2]

在微电子件中的铜的电沉积 [P].

文森·潘尼卡西欧 ;

凯力·惠登 ;

里查·贺图比兹 ;

约翰·康曼德 ;

艾瑞克·罗亚 .

中国专利 :CN109952390A ,2019-06-28

[3]

微电子中的铜电沉积 [P].

小文森特·M·帕纳卡索 ;

林宣 ;

保罗·费格拉 ;

理查德·哈图比斯 ;

克里斯蒂娜·怀特 .

中国专利 :CN101416292B ,2009-04-22

[4]

微电子中的铜电沉积 [P].

文森特·派纳卡西奥 ;

林宣 ;

保罗·菲格瑞 ;

理查德·荷特比斯 .

中国专利 :CN101099231B ,2008-01-02

[5]

用基于联吡啶的整平剂在微电子装置中电沉积铜 [P].

文森特·帕尼卡西奥 ;

林璇 ;

理查德·赫图贝斯 ;

陈青云 .

中国专利 :CN102362013B ,2012-02-22

[6]

在半导体晶片上超均匀沉积铜膜的方法 [P].

马悦 ;

王希 ;

何川 ;

王晖 .

中国专利 :CN101748459B ,2010-06-23

[7]

在半导体器件中形成铜布线的方法 [P].

赵宏来 .

中国专利 :CN101770979A ,2010-07-07

[8]

采用离子液体在锌表面预电沉积铜的方法 [P].

朱萍 ;

周鸣 ;

吴金华 ;

周劲 .

中国专利 :CN101054698A ,2007-10-17

[9]

介电涂层在半导体基材上的电沉积 [P].

K·L·摩尔 ;

M·J·鲍里克 ;

M·G·桑德拉 ;

C·A·威尔逊 .

中国专利 :CN102016131A ,2011-04-13

[10]

用于形成铜堆栈以及在半导体晶圆中的铝线电连通的方法 [P].

林继周 ;

和正平 .

中国专利 :CN105789067A ,2016-07-20

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