在半导体器件中形成铜布线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910265280.8

申请日：

2009-12-30

公开(公告)号：

CN101770979A

公开(公告)日：

2010-07-07

发明(设计)人：

赵宏来

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

姜燕;邢雪红

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-07	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101700681044 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2009102652808 申请公布日:20100707
2012-01-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101173910225 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2009102652808 申请日:20091230
2010-07-07	公开	公开

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成铜布线的方法 [P].

朴滢淳 ;

郭鲁正 ;

廉胜振 ;

柳春根 ;

郑钟九 ;

金成准 .

中国专利 :CN103107126A ,2013-05-15

[2]

在半导体器件中形成铜布线的方法 [P].

朴滢淳 ;

郭鲁正 ;

廉胜振 ;

柳春根 ;

郑钟九 ;

金成准 .

中国专利 :CN101807540A ,2010-08-18

[3]

在半导体器件中形成铜布线的方法 [P].

表成奎 ;

金宪度 .

中国专利 :CN1270413A ,2000-10-18

[4]

用于形成半导体器件中的金属布线的方法 [P].

金亨俊 .

中国专利 :CN1617323A ,2005-05-18

[5]

用铜布线膜生产半导体器件的方法 [P].

大西秀明 .

中国专利 :CN1216398A ,1999-05-12

[6]

在半导体器件中形成铜引线的方法 [P].

金是范 .

中国专利 :CN100353519C ,2004-02-04

[7]

在半导体器件中形成接触塞的方法 [P].

尹普彦 ;

丁寅权 .

中国专利 :CN1100343C ,1999-03-17

[8]

在半导体器件中形成接触的方法及半导体器件 [P].

郑勋 .

中国专利 :CN1220486A ,1999-06-23

[9]

在半导体器件中形成图案的方法 [P].

潘槿道 ;

卜喆圭 ;

宣俊劦 .

中国专利 :CN101211775B ,2008-07-02

[10]

在半导体器件中形成图案的方法 [P].

潘槿道 ;

卜喆圭 .

中国专利 :CN100595888C ,2008-07-02

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