在半导体器件中形成图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710112493.8

申请日：

2007-06-28

公开(公告)号：

CN100595888C

公开(公告)日：

2008-07-02

发明(设计)人：

潘槿道卜喆圭

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

H01L21308 H01L21311 H01L213213

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

顾红霞;张天舒

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-24	授权	授权
2008-07-02	公开	公开
2008-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-08-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584477141 IPC(主分类):H01L 21/027 专利号:ZL2007101124938 申请日:20070628 授权公告日:20100324 终止日期:20130628

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成图案的方法 [P].

潘槿道 ;

卜喆圭 ;

宣俊劦 .

中国专利 :CN101211775B ,2008-07-02

[2]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101271826A ,2008-09-24

[3]

利用双重曝光技术在半导体器件中形成图案的方法 [P].

金瑞玟 .

中国专利 :CN100576463C ,2008-06-25

[4]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

李相彧 .

中国专利 :CN101197257A ,2008-06-11

[5]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

金瑞玟 ;

林昌文 .

中国专利 :CN100595884C ,2008-11-19

[6]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

潘槿道 ;

宣俊劦 .

中国专利 :CN101393846A ,2009-03-25

[7]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 ;

文承灿 ;

卜喆圭 ;

闵明子 ;

潘槿道 ;

林喜烈 .

中国专利 :CN101145513B ,2008-03-19

[8]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN101145515B ,2008-03-19

[9]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

李基领 ;

朴沙路汉 .

中国专利 :CN102082081B ,2011-06-01

[10]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

李基领 ;

卜喆圭 ;

潘槿道 .

中国专利 :CN101320673A ,2008-12-10

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