形成半导体器件的精细图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710080093.3

申请日：

2007-03-07

公开(公告)号：

CN101145513B

公开(公告)日：

2008-03-19

发明(设计)人：

郑载昌文承灿卜喆圭闵明子潘槿道林喜烈

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

G03F700 G03F720 G03F726

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

顾红霞;张天舒

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20070307 授权公告日:20111102 终止日期:20170307
2008-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-03-19	公开	公开
2011-11-02	授权	授权

共 50 条

[1]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN101145515B ,2008-03-19

[2]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN100550288C ,2007-08-29

[3]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN101026087A ,2007-08-29

[4]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

李基领 ;

朴沙路汉 .

中国专利 :CN102082081B ,2011-06-01

[5]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

李基领 ;

卜喆圭 ;

潘槿道 .

中国专利 :CN101320673A ,2008-12-10

[6]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN101217105A ,2008-07-09

[7]

用于形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN101145514A ,2008-03-19

[8]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

金瑞玟 ;

林昌文 .

中国专利 :CN100595884C ,2008-11-19

[9]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

潘槿道 ;

宣俊劦 .

中国专利 :CN101393846A ,2009-03-25

[10]

形成半导体器件精细图案的方法 [P].

韩镇洙 .

中国专利 :CN1142121A ,1997-02-05

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