形成半导体器件的图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710302219.7

申请日：

2007-12-20

公开(公告)号：

CN100595884C

公开(公告)日：

2008-11-19

发明(设计)人：

金瑞玟林昌文

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L21027 H01L213213 H01L21311

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

顾红霞;张天舒

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-24	授权	授权
2009-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-04-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101603733692 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL2007103022197 申请日:20071220 授权公告日:20100324 终止日期:20131220
2008-11-19	公开	公开

共 50 条

[1]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

潘槿道 ;

宣俊劦 .

中国专利 :CN101393846A ,2009-03-25

[2]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 ;

文承灿 ;

卜喆圭 ;

闵明子 ;

潘槿道 ;

林喜烈 .

中国专利 :CN101145513B ,2008-03-19

[3]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN101145515B ,2008-03-19

[4]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

李基领 ;

朴沙路汉 .

中国专利 :CN102082081B ,2011-06-01

[5]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

李基领 ;

卜喆圭 ;

潘槿道 .

中国专利 :CN101320673A ,2008-12-10

[6]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN101026087A ,2007-08-29

[7]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN100550288C ,2007-08-29

[8]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN101217105A ,2008-07-09

[9]

在半导体器件中形成图案的方法 [P].

潘槿道 ;

卜喆圭 ;

宣俊劦 .

中国专利 :CN101211775B ,2008-07-02

[10]

在半导体器件中形成图案的方法 [P].

潘槿道 ;

卜喆圭 .

中国专利 :CN100595888C ,2008-07-02

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