形成半导体器件的精细图案的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201010103271.1
申请日
2010-01-27
公开(公告)号
CN102082081B
公开(公告)日
2011-06-01
发明(设计)人
李基领 朴沙路汉
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L21033
IPC分类号
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
顾红霞;何胜勇
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
形成半导体器件的精细图案的方法 [P]. 
郑载昌 ;
文承灿 ;
卜喆圭 ;
闵明子 ;
潘槿道 ;
林喜烈 .
中国专利 :CN101145513B ,2008-03-19
[2]
形成半导体器件的精细图案的方法 [P]. 
郑载昌 .
中国专利 :CN101145515B ,2008-03-19
[3]
形成半导体器件的精细图案的方法 [P]. 
郑载昌 .
中国专利 :CN100550288C ,2007-08-29
[4]
形成半导体器件的精细图案的方法 [P]. 
郑载昌 .
中国专利 :CN101026087A ,2007-08-29
[5]
形成半导体器件的精细图案的方法 [P]. 
李基领 ;
卜喆圭 ;
潘槿道 .
中国专利 :CN101320673A ,2008-12-10
[6]
形成半导体器件的精细图案的方法 [P]. 
郑载昌 .
中国专利 :CN101217105A ,2008-07-09
[7]
用于形成半导体器件的精细图案的方法 [P]. 
郑载昌 .
中国专利 :CN101145514A ,2008-03-19
[8]
形成半导体器件的图案的方法 [P]. 
潘槿道 ;
宣俊劦 .
中国专利 :CN101393846A ,2009-03-25
[9]
掩模图案、半导体器件和形成半导体器件精细图案的方法 [P]. 
李洪求 .
韩国专利 :CN119786346A ,2025-04-08
[10]
形成半导体器件的图案的方法 [P]. 
金瑞玟 ;
林昌文 .
中国专利 :CN100595884C ,2008-11-19