掩模图案、半导体器件和形成半导体器件精细图案的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410870144.6
申请日
2024-07-01
公开(公告)号
CN119786346A
公开(公告)日
2025-04-08
发明(设计)人
李洪求
申请人
爱思开海力士有限公司
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L21/311
IPC分类号
H01L21/3213 H01L21/768 H10B12/00
代理机构
北京弘权知识产权代理有限公司 11363
代理人
许伟群;赵鹏华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
形成半导体器件的精细图案的方法 [P]. 
李基领 ;
朴沙路汉 .
中国专利 :CN102082081B ,2011-06-01
[2]
形成半导体器件精细图案的方法 [P]. 
韩镇洙 .
中国专利 :CN1142121A ,1997-02-05
[3]
形成半导体器件的精细图案的方法 [P]. 
郑载昌 ;
文承灿 ;
卜喆圭 ;
闵明子 ;
潘槿道 ;
林喜烈 .
中国专利 :CN101145513B ,2008-03-19
[4]
形成半导体器件的精细图案的方法 [P]. 
金亨姬 ;
姜律 ;
崔成云 ;
尹辰永 .
中国专利 :CN101814421A ,2010-08-25
[5]
形成半导体器件的精细图案的方法 [P]. 
郑载昌 .
中国专利 :CN101145515B ,2008-03-19
[6]
形成半导体器件的精细图案的方法 [P]. 
李基领 ;
卜喆圭 .
中国专利 :CN101335198A ,2008-12-31
[7]
形成半导体器件的精细图案的方法 [P]. 
郑载昌 .
中国专利 :CN100550288C ,2007-08-29
[8]
形成半导体器件的精细图案的方法 [P]. 
郑载昌 .
中国专利 :CN101026087A ,2007-08-29
[9]
形成半导体器件的精细图案的方法 [P]. 
卜喆圭 ;
潘槿道 .
中国专利 :CN101299408B ,2008-11-05
[10]
形成半导体器件的精细图案的方法 [P]. 
李基领 ;
卜喆圭 ;
潘槿道 .
中国专利 :CN101320673A ,2008-12-10