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掩模图案、半导体器件和形成半导体器件精细图案的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410870144.6
申请日
:
2024-07-01
公开(公告)号
:
CN119786346A
公开(公告)日
:
2025-04-08
发明(设计)人
:
李洪求
申请人
:
爱思开海力士有限公司
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
H01L21/311
IPC分类号
:
H01L21/3213
H01L21/768
H10B12/00
代理机构
:
北京弘权知识产权代理有限公司 11363
代理人
:
许伟群;赵鹏华
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-04-25
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/311申请日:20240701
2025-04-08
公开
公开
共 50 条
[1]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
李基领
论文数:
0
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0
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0
李基领
;
朴沙路汉
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朴沙路汉
.
中国专利
:CN102082081B
,2011-06-01
[2]
形成半导体器件精细图案的方法
[P].
韩镇洙
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韩镇洙
.
中国专利
:CN1142121A
,1997-02-05
[3]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
郑载昌
论文数:
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郑载昌
;
文承灿
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文承灿
;
卜喆圭
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卜喆圭
;
闵明子
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闵明子
;
潘槿道
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潘槿道
;
林喜烈
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林喜烈
.
中国专利
:CN101145513B
,2008-03-19
[4]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
金亨姬
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金亨姬
;
姜律
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姜律
;
崔成云
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崔成云
;
尹辰永
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尹辰永
.
中国专利
:CN101814421A
,2010-08-25
[5]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
郑载昌
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郑载昌
.
中国专利
:CN101145515B
,2008-03-19
[6]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
李基领
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李基领
;
卜喆圭
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卜喆圭
.
中国专利
:CN101335198A
,2008-12-31
[7]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
郑载昌
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郑载昌
.
中国专利
:CN100550288C
,2007-08-29
[8]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
郑载昌
论文数:
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0
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郑载昌
.
中国专利
:CN101026087A
,2007-08-29
[9]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
卜喆圭
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卜喆圭
;
潘槿道
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潘槿道
.
中国专利
:CN101299408B
,2008-11-05
[10]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
李基领
论文数:
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李基领
;
卜喆圭
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卜喆圭
;
潘槿道
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潘槿道
.
中国专利
:CN101320673A
,2008-12-10
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