形成半导体器件的精细图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810000431.2

申请日：

2008-01-10

公开(公告)号：

CN101335198A

公开(公告)日：

2008-12-31

发明(设计)人：

李基领卜喆圭

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

G03F700 G03F709

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

顾红霞;张天舒

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-05-04	授权	授权
2015-03-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101600530553 IPC(主分类):H01L 21/027 专利号:ZL2008100004312 申请日:20080110 授权公告日:20110504 终止日期:20140110
2008-12-31	公开	公开

共 50 条

[1]

用于形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN101145514A ,2008-03-19

[2]

形成半导体器件精细图案的方法 [P].

韩镇洙 .

中国专利 :CN1142121A ,1997-02-05

[3]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 ;

文承灿 ;

卜喆圭 ;

闵明子 ;

潘槿道 ;

林喜烈 .

中国专利 :CN101145513B ,2008-03-19

[4]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

金亨姬 ;

姜律 ;

崔成云 ;

尹辰永 .

中国专利 :CN101814421A ,2010-08-25

[5]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN101145515B ,2008-03-19

[6]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN100550288C ,2007-08-29

[7]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

沈载煌 ;

朴尚容 ;

李宁浩 .

中国专利 :CN101562125A ,2009-10-21

[8]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN101026087A ,2007-08-29

[9]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

李基领 ;

朴沙路汉 .

中国专利 :CN102082081B ,2011-06-01

[10]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

卜喆圭 ;

潘槿道 .

中国专利 :CN101299408B ,2008-11-05

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