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形成半导体器件精细图案的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN96107116.8
申请日
:
1996-06-24
公开(公告)号
:
CN1142121A
公开(公告)日
:
1997-02-05
发明(设计)人
:
韩镇洙
申请人
:
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
H01L2130
IPC分类号
:
代理机构
:
上海专利商标事务所
代理人
:
张政权
法律状态
:
实质审查请求的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
1997-01-15
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
1997-02-05
公开
公开
2006-10-18
发明专利申请公布后的驳回
发明专利申请公布后的驳回
共 50 条
[1]
掩模图案、半导体器件和形成半导体器件精细图案的方法
[P].
李洪求
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李洪求
.
韩国专利
:CN119786346A
,2025-04-08
[2]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
郑载昌
论文数:
0
引用数:
0
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0
郑载昌
;
文承灿
论文数:
0
引用数:
0
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0
文承灿
;
卜喆圭
论文数:
0
引用数:
0
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0
卜喆圭
;
闵明子
论文数:
0
引用数:
0
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0
闵明子
;
潘槿道
论文数:
0
引用数:
0
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0
潘槿道
;
林喜烈
论文数:
0
引用数:
0
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0
林喜烈
.
中国专利
:CN101145513B
,2008-03-19
[3]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
金亨姬
论文数:
0
引用数:
0
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0
金亨姬
;
姜律
论文数:
0
引用数:
0
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0
姜律
;
崔成云
论文数:
0
引用数:
0
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0
崔成云
;
尹辰永
论文数:
0
引用数:
0
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0
尹辰永
.
中国专利
:CN101814421A
,2010-08-25
[4]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
郑载昌
论文数:
0
引用数:
0
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0
郑载昌
.
中国专利
:CN101145515B
,2008-03-19
[5]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
李基领
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李基领
;
卜喆圭
论文数:
0
引用数:
0
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0
卜喆圭
.
中国专利
:CN101335198A
,2008-12-31
[6]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
郑载昌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郑载昌
.
中国专利
:CN100550288C
,2007-08-29
[7]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
沈载煌
论文数:
0
引用数:
0
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0
沈载煌
;
朴尚容
论文数:
0
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0
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0
朴尚容
;
李宁浩
论文数:
0
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0
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0
李宁浩
.
中国专利
:CN101562125A
,2009-10-21
[8]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
郑载昌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郑载昌
.
中国专利
:CN101026087A
,2007-08-29
[9]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
李基领
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李基领
;
朴沙路汉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朴沙路汉
.
中国专利
:CN102082081B
,2011-06-01
[10]
形成半导体器件的精细图案的方法
[P].
卜喆圭
论文数:
0
引用数:
0
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0
卜喆圭
;
潘槿道
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
潘槿道
.
中国专利
:CN101299408B
,2008-11-05
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