形成半导体器件精细图案的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN96107116.8
申请日
1996-06-24
公开(公告)号
CN1142121A
公开(公告)日
1997-02-05
发明(设计)人
韩镇洙
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L2130
IPC分类号
代理机构
上海专利商标事务所
代理人
张政权
法律状态
实质审查请求的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
掩模图案、半导体器件和形成半导体器件精细图案的方法 [P]. 
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[2]
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郑载昌 ;
文承灿 ;
卜喆圭 ;
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[3]
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[4]
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[5]
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卜喆圭 .
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[6]
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[8]
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[9]
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[10]
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潘槿道 .
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