用于形成半导体器件中的金属布线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410056569.6

申请日：

2004-08-10

公开(公告)号：

CN1617323A

公开(公告)日：

2005-05-18

发明(设计)人：

金亨俊

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-05-18	公开	公开
2007-05-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2005-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成铜布线的方法 [P].

赵宏来 .

中国专利 :CN101770979A ,2010-07-07

[2]

形成半导体器件的金属布线的方法 [P].

金东俊 .

中国专利 :CN1722405A ,2006-01-18

[3]

半导体器件的金属布线及半导体器件的金属布线形成方法 [P].

金官洙 ;

金是范 ;

郑钟烈 ;

姜良范 ;

李泰钟 ;

申讲燮 .

中国专利 :CN103579185B ,2014-02-12

[4]

用于形成半导体器件金属布线的方法 [P].

崔樑圭 .

中国专利 :CN1074857C ,1996-10-30

[5]

半导体器件、半导体器件的布线和形成布线的方法 [P].

葛原刚 ;

小邑笃 ;

坚田满孝 ;

成濑孝好 .

中国专利 :CN101170091A ,2008-04-30

[6]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

A.布雷梅泽尔 ;

A.布罗克迈尔 ;

R.克恩 ;

R.鲁普 ;

F.J.桑托斯罗德里格斯 ;

C.冯科布林斯基 .

中国专利 :CN107799429B ,2018-03-13

[7]

用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

A.布雷梅泽尔 ;

A.布罗克迈尔 ;

R.克恩 ;

R.鲁普 ;

F.J.桑托斯罗德里格斯 ;

C.冯科布林斯基 .

中国专利 :CN114496765A ,2022-05-13

[8]

形成半导体器件金属布线的方法 [P].

金宪度 .

中国专利 :CN1142120A ,1997-02-05

[9]

形成半导体器件金属引线的方法 [P].

林载圻 ;

金铉修 ;

李锡奎 .

中国专利 :CN1155758A ,1997-07-30

[10]

用于形成半导体器件的金属线的方法 [P].

沈相哲 .

中国专利 :CN101471286A ,2009-07-01

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