用于形成半导体器件金属布线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95118735.X

申请日：

1995-10-12

公开(公告)号：

CN1074857C

公开(公告)日：

1996-10-30

发明(设计)人：

崔樑圭

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23522

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

陈亮

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-11-14	授权	授权
2014-12-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101590515561 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL95118735X 申请日:19951012 授权公告日:20011114 终止日期:20131012
1996-10-30	公开	公开

共 50 条

[1]

形成半导体器件金属布线的方法 [P].

金宪度 .

中国专利 :CN1142120A ,1997-02-05

[2]

半导体器件的金属布线及半导体器件的金属布线形成方法 [P].

金官洙 ;

金是范 ;

郑钟烈 ;

姜良范 ;

李泰钟 ;

申讲燮 .

中国专利 :CN103579185B ,2014-02-12

[3]

形成半导体器件的金属布线的方法 [P].

金东俊 .

中国专利 :CN1722405A ,2006-01-18

[4]

形成半导体器件的金属布线的方法 [P].

金相喆 .

中国专利 :CN101740487A ,2010-06-16

[5]

用于形成半导体器件中的金属布线的方法 [P].

金亨俊 .

中国专利 :CN1617323A ,2005-05-18

[6]

半导体器件、半导体器件的布线和形成布线的方法 [P].

葛原刚 ;

小邑笃 ;

坚田满孝 ;

成濑孝好 .

中国专利 :CN101170091A ,2008-04-30

[7]

半导体器件的金属布线及其形成方法 [P].

金恩洙 ;

郑哲谟 ;

洪承希 .

中国专利 :CN101383336A ,2009-03-11

[8]

半导体器件的多层金属布线及其形成方法 [P].

金秀贤 ;

金栢满 ;

李荣镇 ;

郑东河 ;

金鼎泰 .

中国专利 :CN101211892B ,2008-07-02

[9]

半导体器件以及用于半导体器件的布线方法 [P].

岩田明郎 ;

伊藤学 .

中国专利 :CN1877835A ,2006-12-13

[10]

形成半导体器件的布线层的方法 [P].

郑武京 ;

李宣姃 ;

朴基澈 .

中国专利 :CN101527279A ,2009-09-09

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