半导体器件的金属布线及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710301883.X

申请日：

2007-12-20

公开(公告)号：

CN101383336A

公开(公告)日：

2009-03-11

发明(设计)人：

金恩洙郑哲谟洪承希

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L23522

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

刘继富;顾晋伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-06-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回专利申请号:200710301883X 公开日:20090311 号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101099680095 IPC(主分类):H01L 23/522
2009-03-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的金属布线及半导体器件的金属布线形成方法 [P].

金官洙 ;

金是范 ;

郑钟烈 ;

姜良范 ;

李泰钟 ;

申讲燮 .

中国专利 :CN103579185B ,2014-02-12

[2]

半导体器件的多层金属布线及其形成方法 [P].

金秀贤 ;

金栢满 ;

李荣镇 ;

郑东河 ;

金鼎泰 .

中国专利 :CN101211892B ,2008-07-02

[3]

具有铜金属布线的半导体器件及其形成方法 [P].

朴正浩 .

中国专利 :CN101355051A ,2009-01-28

[4]

形成半导体器件金属布线的方法 [P].

金宪度 .

中国专利 :CN1142120A ,1997-02-05

[5]

形成半导体器件的金属布线的方法 [P].

金东俊 .

中国专利 :CN1722405A ,2006-01-18

[6]

形成半导体器件的金属布线的方法 [P].

金相喆 .

中国专利 :CN101740487A ,2010-06-16

[7]

用于形成半导体器件金属布线的方法 [P].

崔樑圭 .

中国专利 :CN1074857C ,1996-10-30

[8]

半导体器件、半导体器件的布线和形成布线的方法 [P].

葛原刚 ;

小邑笃 ;

坚田满孝 ;

成濑孝好 .

中国专利 :CN101170091A ,2008-04-30

[9]

半导体器件及其金属栅极的形成方法 [P].

林静 ;

蔡国辉 .

中国专利 :CN109935518B ,2019-06-25

[10]

半导体结构及其形成方法，半导体器件及其形成方法 [P].

张全良 ;

刘丽丽 .

中国专利 :CN114068708A ,2022-02-18

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