具有铜金属布线的半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810135021.9

申请日：

2008-07-24

公开(公告)号：

CN101355051A

公开(公告)日：

2009-01-28

发明(设计)人：

朴正浩

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23522

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

章社杲;李丙林

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-16	授权	授权
2009-01-28	公开	公开
2014-09-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101586816962 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2008101350219 申请日:20080724 授权公告日:20110216 终止日期:20130724
2009-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件的金属布线及其形成方法 [P].

金恩洙 ;

郑哲谟 ;

洪承希 .

中国专利 :CN101383336A ,2009-03-11

[2]

在半导体器件中形成铜布线的方法 [P].

赵宏来 .

中国专利 :CN101770979A ,2010-07-07

[3]

在半导体器件中形成铜布线的方法 [P].

朴滢淳 ;

郭鲁正 ;

廉胜振 ;

柳春根 ;

郑钟九 ;

金成准 .

中国专利 :CN103107126A ,2013-05-15

[4]

半导体器件的金属布线及半导体器件的金属布线形成方法 [P].

金官洙 ;

金是范 ;

郑钟烈 ;

姜良范 ;

李泰钟 ;

申讲燮 .

中国专利 :CN103579185B ,2014-02-12

[5]

在半导体器件中形成铜布线的方法 [P].

朴滢淳 ;

郭鲁正 ;

廉胜振 ;

柳春根 ;

郑钟九 ;

金成准 .

中国专利 :CN101807540A ,2010-08-18

[6]

半导体器件的多层金属布线及其形成方法 [P].

金秀贤 ;

金栢满 ;

李荣镇 ;

郑东河 ;

金鼎泰 .

中国专利 :CN101211892B ,2008-07-02

[7]

具有铜布线的半导体器件 [P].

各務克巳 ;

鹰尾義弘 .

中国专利 :CN1282243C ,2003-10-15

[8]

具有铜布线的半导体器件及其制造方法 [P].

小浦由美子 ;

北田秀树 .

中国专利 :CN100420008C ,2006-01-18

[9]

在半导体器件中形成铜布线的方法 [P].

表成奎 ;

金宪度 .

中国专利 :CN1270413A ,2000-10-18

[10]

具有铜布线的半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

蔡明 ;

赵简 .

中国专利 :CN101740472A ,2010-06-16

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