半导体器件的多层金属布线及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710108270.4

申请日：

2007-06-07

公开(公告)号：

CN101211892B

公开(公告)日：

2008-07-02

发明(设计)人：

金秀贤金栢满李荣镇郑东河金鼎泰

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L23532

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陶凤波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-02	公开	公开
2011-11-09	授权	授权
2008-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-07-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584052123 IPC(主分类):H01L 23/532 专利号:ZL2007101082704 申请日:20070607 授权公告日:20111109 终止日期:20130607

共 50 条

[1]

半导体器件的金属布线及其形成方法 [P].

金恩洙 ;

郑哲谟 ;

洪承希 .

中国专利 :CN101383336A ,2009-03-11

[2]

半导体器件的金属布线及半导体器件的金属布线形成方法 [P].

金官洙 ;

金是范 ;

郑钟烈 ;

姜良范 ;

李泰钟 ;

申讲燮 .

中国专利 :CN103579185B ,2014-02-12

[3]

具有铜金属布线的半导体器件及其形成方法 [P].

朴正浩 .

中国专利 :CN101355051A ,2009-01-28

[4]

形成半导体器件金属布线的方法 [P].

金宪度 .

中国专利 :CN1142120A ,1997-02-05

[5]

多层金属布线的形成方法 [P].

矢野航作 ;

杉山龙男 ;

上田聪 ;

野村登 .

中国专利 :CN1118520A ,1996-03-13

[6]

形成半导体器件的金属布线的方法 [P].

金东俊 .

中国专利 :CN1722405A ,2006-01-18

[7]

形成半导体器件的金属布线的方法 [P].

金相喆 .

中国专利 :CN101740487A ,2010-06-16

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN105206598B ,2015-12-30

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

高汉杰 ;

赵杰 ;

宋伟基 .

中国专利 :CN104752179A ,2015-07-01

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107958872B ,2018-04-24

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