多层金属布线的形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN95104227.0
申请日
1995-04-13
公开(公告)号
CN1118520A
公开(公告)日
1996-03-13
发明(设计)人
矢野航作 杉山龙男 上田聪 野村登
申请人
申请人地址
日本大阪
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
冯赓宣
法律状态
专利申请的撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件的多层金属布线及其形成方法 [P]. 
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[3]
布线结构的形成方法 [P]. 
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[4]
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[5]
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[6]
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[7]
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[8]
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[10]
布线结构的形成方法 [P]. 
滨中雅司 ;
原田刚史 ;
吉田英朗 ;
上田哲也 .
中国专利 :CN1220259C ,2003-07-09