一种多晶黑硅电池片的化学刻蚀制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201811419633.0
申请日
2018-11-26
公开(公告)号
CN109560167A
公开(公告)日
2019-04-02
发明(设计)人
金建江 曾飞亮
申请人
申请人地址
317000 浙江省台州市临海市江南街道汇丰南路1199号
IPC主分类号
H01L3118
IPC分类号
代理机构
杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213
代理人
吴秉中
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
多晶硅电池片的制造方法 [P]. 
陈培良 ;
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[2]
一种湿法化学刻蚀制备黑硅的方法 [P]. 
蒲天 ;
罗旌旺 ;
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汪洋 .
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[3]
一种黑硅电池片的生产方法 [P]. 
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[4]
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[5]
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[6]
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[7]
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[8]
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朱姚培 ;
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[10]
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