一种硅基Micro OLED微显示器阳极及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911416082.7

申请日：

2019-12-31

公开(公告)号：

CN111063828A

公开(公告)日：

2020-04-24

发明(设计)人：

曹贺赵铮涛李亮亮

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市芜湖长江大桥综合经济开发区高安街道经四路一号办公楼五楼

IPC主分类号：

H01L5152

IPC分类号：

H01L5156 H01L2732

代理机构：

芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107

代理人：

尹婷婷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-24	公开	公开
2020-05-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/52 申请日:20191231

共 50 条

[1]

硅基OLED微显示器阳极结构的制备方法及硅基OLED微显示器阳极结构 [P].

李亮亮 ;

荣长亭 ;

陈蒙 ;

陆炎 ;

丁茂银 ;

孙新然 .

中国专利 :CN119698212A ,2025-03-25

[2]

一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法 [P].

曹贺 ;

刘晓佳 ;

吕迅 ;

刘胜芳 ;

赵铮涛 ;

潘倩倩 .

中国专利 :CN113363407A ,2021-09-07

[3]

硅基OLED微显示器及其制备方法 [P].

李成志 ;

曹君 .

中国专利 :CN114628612A ,2022-06-14

[4]

硅基OLED微显示器强微腔阳极结构及其制备方法 [P].

高前武 .

中国专利 :CN117597002A ,2024-02-23

[5]

一种硅基OLED微显示器阳极及其制备方法和应用 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN113054142B ,2021-06-29

[6]

一种硅基Micro OLED微显示器件阳极侧壁保护刻蚀方法 [P].

曹贺 ;

刘晓佳 ;

吕迅 .

中国专利 :CN112420970A ,2021-02-26

[7]

一种硅基OLED微显示器 [P].

吴远武 ;

王绍华 ;

王健波 ;

吴迪 .

中国专利 :CN114335099A ,2022-04-12

[8]

一种硅基OLED微显示器的制备方法 [P].

孙云翔 .

中国专利 :CN112259703A ,2021-01-22

[9]

一种硅基OLED微显示器工艺产品及其制备方法 [P].

由振琪 ;

孙云翔 ;

曹贺 ;

刘晓佳 .

中国专利 :CN112242498A ,2021-01-19

[10]

硅基Micro OLED微显示器件像素定义层及其制备方法、显示面板 [P].

孙红帅 ;

周文斌 ;

程保龙 ;

孙剑 ;

高裕弟 .

中国专利 :CN119767997A ,2025-04-04

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