一种硅基Micro OLED微显示器件阳极侧壁保护刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011299454.5

申请日：

2020-11-19

公开(公告)号：

CN112420970A

公开(公告)日：

2021-02-26

发明(设计)人：

曹贺刘晓佳吕迅

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市芜湖长江大桥综合经济开发区高安街道经四路一号办公楼五楼

IPC主分类号：

H01L5156

IPC分类号：

H01L5100 H01L2732

代理机构：

芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107

代理人：

任晨晨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/56 申请日:20201119
2021-02-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硅基Micro OLED微显示器阳极及其制备方法 [P].

曹贺 ;

赵铮涛 ;

李亮亮 .

中国专利 :CN111063828A ,2020-04-24

[2]

一种硅基OLED微显示器件 [P].

袁成 ;

蔡小若 .

中国专利 :CN112331807B ,2021-02-05

[3]

硅基OLED微显示器阳极结构的制备方法及硅基OLED微显示器阳极结构 [P].

李亮亮 ;

荣长亭 ;

陈蒙 ;

陆炎 ;

丁茂银 ;

孙新然 .

中国专利 :CN119698212A ,2025-03-25

[4]

一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法 [P].

曹贺 ;

刘晓佳 ;

吕迅 ;

刘胜芳 ;

赵铮涛 ;

潘倩倩 .

中国专利 :CN113363407A ,2021-09-07

[5]

一种回刻制备硅基Micro OLED微显示器件PDL的方法 [P].

曹贺 ;

刘晓佳 ;

吕迅 ;

刘胜芳 ;

赵铮涛 ;

潘倩倩 .

中国专利 :CN113380968A ,2021-09-10

[6]

一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层角度改善方法 [P].

曹贺 ;

赵铮涛 ;

刘胜芳 ;

邓琼 ;

王志超 .

中国专利 :CN112542503A ,2021-03-23

[7]

硅基Micro OLED微显示器件像素定义层及其制备方法、显示面板 [P].

孙红帅 ;

周文斌 ;

程保龙 ;

孙剑 ;

高裕弟 .

中国专利 :CN119767997A ,2025-04-04

[8]

凹面阳极的应用、硅基OLED显示器件阳极、显示器件 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120076654A ,2025-05-30

[9]

一种硅基全彩OLED微显示器件及其制备方法 [P].

晋芳铭 ;

赵铮涛 ;

李文连 ;

任清江 ;

王仕伟 .

中国专利 :CN107425127A ,2017-12-01

[10]

一种硅基OLED微显示器 [P].

吴远武 ;

王绍华 ;

王健波 ;

吴迪 .

中国专利 :CN114335099A ,2022-04-12

← 1 2 3 4 5 →