微电子电路中的互连部的钴填充

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110503914.X

申请日：

2016-06-30

公开(公告)号：

CN113215626A

公开(公告)日：

2021-08-06

发明(设计)人：

J·科曼得小V·潘恩卡修 E·路亚 K·惠顿孙绍鹏韩剑文

申请人：

申请人地址：

美国康涅狄格州

IPC主分类号：

C25D316

IPC分类号：

C25D712

代理机构：

北京世峰知识产权代理有限公司 11713

代理人：

王建秀;王思琪

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-06	公开	公开
2021-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 3/16 申请日:20160630

共 50 条

[1]

微电子电路中的互连部的钴填充 [P].

J·科曼得 ;

小V·潘恩卡修 ;

E·路亚 ;

K·惠顿 ;

孙绍鹏 .

中国专利 :CN107849722A ,2018-03-27

[2]

互连件的钴填充 [P].

约翰·科曼德 ;

凯尔·惠滕 ;

小文森特·帕内卡西奥 ;

孙绍鹏 ;

埃里克·雅各布森 ;

韩建文 ;

埃利·纳贾尔 .

中国专利 :CN111032922B ,2020-04-17

[3]

制造微电子电路的方法和微电子电路 [P].

C·劳特巴奇 ;

C·保鲁斯 .

中国专利 :CN100353492C ,2004-01-14

[4]

微电子电路的接合方法 [P].

马丁·伯克 ;

德特勒夫·坦布林克 .

中国专利 :CN1008577B ,1987-10-21

[5]

形成微电子电路元件的方法 [P].

布赖恩·多伊尔 ;

阿南德·默西 ;

罗伯特·乔 .

中国专利 :CN100390936C ,2006-03-15

[6]

基于覆盖率的微电子电路及用于提供微电子电路的设计的方法 [P].

纳夫尼特·古普塔 .

:CN113168495B ,2025-08-15

[7]

改进微电子电路的性能的方法 [P].

劳伦斯·A·克莱温格尔 ;

乔治·C.·冯 ;

杰姆斯·M·E·哈普尔 ;

路易斯·L·苏 .

中国专利 :CN1302546C ,2004-03-31

[8]

基于覆盖率的微电子电路及用于提供微电子电路的设计的方法 [P].

纳夫尼特·古普塔 .

中国专利 :CN113168495A ,2021-07-23

[9]

集成在微电子电路内的线圈和线圈系统及微电子电路 [P].

J·伯索德 ;

D·瑟瓦尔德 ;

M·蒂布特 .

中国专利 :CN1416579A ,2003-05-07

[10]

微电子电路的空腔型封装方法 [P].

黄飞明 ;

李宗亚 .

中国专利 :CN1445831A ,2003-10-01

← 1 2 3 4 5 →