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一种DRAM模组高温老化测试设备
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202121581713.3
申请日：
2021-07-13
公开(公告)号：
CN215376934U
公开(公告)日：
2021-12-31
发明(设计)人：
吴伟波
林德先
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区浪口工业园18号4层
IPC主分类号：
G11C2956
IPC分类号：
代理机构：
深圳市鼎泰正和知识产权代理事务所(普通合伙) 44555
代理人：
缪太清
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-12-31 | 授权 | 授权 |