半导体晶片抛光浆料供应量的控制

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01110439.2

申请日：

2001-04-06

公开(公告)号：

CN1316768A

公开(公告)日：

2001-10-10

发明(设计)人：

功刀敬治

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

B24B722

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏;方挺

法律状态：

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-07-02	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:日本电气株式会社变更后权利人:恩益禧电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本神奈川登记生效日:20030509
2001-10-10	公开	公开
2001-08-15	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2005-06-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

抛光半导体晶片的方法 [P].

A·海尔迈尔 ;

V·杜奇克 ;

L·米斯图尔 ;

T·奥尔布里希 ;

D·迈尔 ;

V·吴 .

中国专利 :CN111683792B ,2020-09-18

[2]

抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

T·布施哈尔特 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102049723A ,2011-05-11

[3]

抛光半导体晶片的方法 [P].

K·勒特格 ;

A·海尔迈尔 ;

L·米斯图尔 ;

田畑诚 ;

V·杜奇克 ;

T·奥尔布里希 .

中国专利 :CN103846780A ,2014-06-11

[4]

用于半导体晶片抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102034697A ,2011-04-27

[5]

局部抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN101927448A ,2010-12-29

[6]

用于抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102059640B ,2011-05-18

[7]

双面抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

T·布施哈尔特 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102205520A ,2011-10-05

[8]

半导体晶片双面抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102990505A ,2013-03-27

[9]

半导体晶片双面抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN104476384B ,2015-04-01

[10]

用于抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102205521A ,2011-10-05

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