抛光半导体晶片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010296792.3

申请日：

2010-09-27

公开(公告)号：

CN102049723A

公开(公告)日：

2011-05-11

发明(设计)人：

J·施万德纳 T·布施哈尔特 R·柯普尔特

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

B24B2902

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

过晓东

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101081908600 IPC(主分类):B24B 29/02 专利申请号:2010102967923 申请日:20100927
2011-05-11	公开	公开
2016-11-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101687245450 IPC(主分类):H01L 21/304 专利号:ZL2010102967923 申请日:20100927 授权公告日:20130814 终止日期:20150927
2013-08-14	授权	授权

共 50 条

[1]

用于半导体晶片抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102034697A ,2011-04-27

[2]

局部抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN101927448A ,2010-12-29

[3]

双面抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

T·布施哈尔特 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102205520A ,2011-10-05

[4]

半导体晶片双面抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102990505A ,2013-03-27

[5]

用于抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102205521A ,2011-10-05

[6]

半导体晶片双面抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN104476384B ,2015-04-01

[7]

双面抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN101927447A ,2010-12-29

[8]

用于抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

M·克斯坦 .

中国专利 :CN102189471A ,2011-09-21

[9]

抛光半导体晶片边缘的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN101930908B ,2010-12-29

[10]

抛光垫以及抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN101927455B ,2010-12-29

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