双面抛光半导体晶片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010144726.4

申请日：

2010-03-22

公开(公告)号：

CN101927447A

公开(公告)日：

2010-12-29

发明(设计)人：

J·施万德纳

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

B24B2902

IPC分类号：

H01L21304

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

过晓东

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-29	授权	授权
2010-12-29	公开	公开
2020-03-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B24B 29/02 申请日:20100322 授权公告日:20120829 终止日期:20190322
2011-02-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101037113998 IPC(主分类):B24B 29/02 专利申请号:2010101447264 申请日:20100322

共 50 条

[1]

双面抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

T·布施哈尔特 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102205520A ,2011-10-05

[2]

半导体晶片双面抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102990505A ,2013-03-27

[3]

半导体晶片双面抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN104476384B ,2015-04-01

[4]

局部抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN101927448A ,2010-12-29

[5]

抛光半导体晶片边缘的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN101930908B ,2010-12-29

[6]

半导体晶片的双面抛光方法 [P].

久保田真美 ;

福原史也 ;

三浦友纪 .

中国专利 :CN110235225B ,2019-09-13

[7]

抛光垫以及抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN101927455B ,2010-12-29

[8]

抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

T·布施哈尔特 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102049723A ,2011-05-11

[9]

用双面抛光加工半导体晶片的方法 [P].

G·D·张 ;

H·F·埃瑞克 ;

T·M·拉根 ;

J·A·卡恩斯 .

中国专利 :CN1446142A ,2003-10-01

[10]

用于半导体晶片抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102034697A ,2011-04-27

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