半导体晶片的双面抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780068038.4

申请日：

2017-10-03

公开(公告)号：

CN110235225B

公开(公告)日：

2019-09-13

发明(设计)人：

久保田真美福原史也三浦友纪

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

B24B3708

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

殷超;谭祐祥

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/304 申请日:20171003
2022-09-23	授权	授权
2019-09-13	公开	公开

共 50 条

[1]

使用双面抛光装置的半导体晶片抛光方法 [P].

谷口彻 ;

小野五十六 ;

原田晴司 .

中国专利 :CN1441713A ,2003-09-10

[2]

双面抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

T·布施哈尔特 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102205520A ,2011-10-05

[3]

半导体晶片双面抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102990505A ,2013-03-27

[4]

半导体晶片双面抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN104476384B ,2015-04-01

[5]

双面抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN101927447A ,2010-12-29

[6]

用双面抛光加工半导体晶片的方法 [P].

G·D·张 ;

H·F·埃瑞克 ;

T·M·拉根 ;

J·A·卡恩斯 .

中国专利 :CN1446142A ,2003-10-01

[7]

修整同时双面抛光半导体晶片的抛光垫的方法 [P].

J·施陶德哈默 .

中国专利 :CN103991033B ,2014-08-20

[8]

抛光半导体晶片的方法 [P].

A·海尔迈尔 ;

V·杜奇克 ;

L·米斯图尔 ;

T·奥尔布里希 ;

D·迈尔 ;

V·吴 .

中国专利 :CN111683792B ,2020-09-18

[9]

半导体晶片抛光装置和抛光方法 [P].

P·D·阿尔布雷克特 ;

Z·郭强 .

中国专利 :CN102046331A ,2011-05-04

[10]

用于借助同时双面抛光来抛光半导体晶片的方法 [P].

R·鲍曼 ;

J·施陶德哈默 ;

A·海尔迈尔 ;

L·米斯图尔 ;

K·勒特格 .

中国专利 :CN104097134B ,2014-10-15

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