发光二极管结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010243816.9

申请日：

2010-08-03

公开(公告)号：

CN102347344A

公开(公告)日：

2012-02-08

发明(设计)人：

赖志铭

申请人：

申请人地址：

201600 上海市松江区松江工业区西部科技工业园区文吉路500号

IPC主分类号：

H01L2715

IPC分类号：

H01L3336

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101208128801 IPC(主分类):H01L 27/15 专利申请号:2010102438169 申请日:20100803
2012-02-08	公开	公开
2014-08-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101703518435 IPC(主分类):H01L 27/15 专利申请号:2010102438169 申请公布日:20120208

共 50 条

[1]

发光二极管 [P].

吴永胜 ;

林新 ;

林昌江 .

中国专利 :CN210040239U ,2020-02-07

[2]

发光二极管 [P].

刘久澄 ;

刘晓燕 ;

李叶林 ;

陈志涛 ;

龚政 ;

任远 ;

潘章旭 ;

曾昭烩 ;

曾巧玉 .

中国专利 :CN208014727U ,2018-10-26

[3]

发光二极管 [P].

吴永胜 ;

汪雪琴 ;

林昌江 .

中国专利 :CN210040240U ,2020-02-07

[4]

发光二极管 [P].

吴芃逸 ;

黄世晟 ;

凃博闵 ;

杨顺贵 ;

黄嘉宏 .

中国专利 :CN102255025A ,2011-11-23

[5]

发光二极管结构制作方法及发光二极管结构 [P].

刘久澄 ;

刘晓燕 ;

李叶林 ;

陈志涛 ;

龚政 ;

任远 ;

潘章旭 ;

曾昭烩 ;

曾巧玉 .

中国专利 :CN108258089A ,2018-07-06

[6]

发光二极管结构 [P].

李玉柱 .

中国专利 :CN108054255B ,2018-05-18

[7]

发光二极管结构 [P].

李玉柱 .

中国专利 :CN107968139B ,2018-04-27

[8]

发光二极管结构 [P].

李玉柱 .

中国专利 :CN104779328A ,2015-07-15

[9]

发光二极管外延结构及发光二极管 [P].

刘丽军 ;

展望 ;

刘康 ;

朱涛 ;

芦玲 .

中国专利 :CN115911199B ,2024-04-19

[10]

发光二极管外延结构及发光二极管 [P].

朱涛 ;

王明军 ;

祝光辉 ;

芦玲 .

中国专利 :CN115498083A ,2022-12-20

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