发光二极管结构制作方法及发光二极管结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810245262.2

申请日：

2018-03-23

公开(公告)号：

CN108258089A

公开(公告)日：

2018-07-06

发明(设计)人：

刘久澄刘晓燕李叶林陈志涛龚政任远潘章旭曾昭烩曾巧玉

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市天河区长兴路363号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3314 H01L3338 H01L3346 H01L3362 H01L3364

代理机构：

北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371

代理人：

逯恒

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-06	公开	公开
2018-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20180323

共 50 条

[1]

发光二极管 [P].

刘久澄 ;

刘晓燕 ;

李叶林 ;

陈志涛 ;

龚政 ;

任远 ;

潘章旭 ;

曾昭烩 ;

曾巧玉 .

中国专利 :CN208014727U ,2018-10-26

[2]

发光二极管结构 [P].

赖志铭 .

中国专利 :CN102347344A ,2012-02-08

[3]

发光二极管、发光二极管模块及其制作方法 [P].

郭德博 ;

徐正毅 .

中国专利 :CN105895758A ,2016-08-24

[4]

发光二极管外延结构及发光二极管 [P].

刘丽军 ;

展望 ;

刘康 ;

朱涛 ;

芦玲 .

中国专利 :CN115911199B ,2024-04-19

[5]

发光二极管结构 [P].

李玉柱 .

中国专利 :CN108054255B ,2018-05-18

[6]

发光二极管结构 [P].

李玉柱 .

中国专利 :CN107968139B ,2018-04-27

[7]

发光二极管结构 [P].

李玉柱 .

中国专利 :CN104779328A ,2015-07-15

[8]

发光二极管外延结构及发光二极管 [P].

朱涛 ;

王明军 ;

祝光辉 ;

芦玲 .

中国专利 :CN115498083A ,2022-12-20

[9]

发光二极管外延结构及发光二极管 [P].

朱涛 ;

王明军 ;

祝光辉 ;

芦玲 .

中国专利 :CN120018652A ,2025-05-16

[10]

发光二极管 [P].

吴永胜 ;

林新 ;

林昌江 .

中国专利 :CN210040239U ,2020-02-07

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