以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201020697905.6
申请日
2010-12-27
公开(公告)号
CN202009028U
公开(公告)日
2011-10-12
发明(设计)人
李志翔 吴东海
申请人
申请人地址
100083 北京市海淀区同方科技广场A座2901
IPC主分类号
H01L3312
IPC分类号
H01L3332 H01L3300
代理机构
代理人
法律状态
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
国省代码
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共 50 条
[1]
一种以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置 [P]. 
李志翔 ;
吴东海 .
中国专利 :CN102569352A ,2012-07-11
[2]
蓝宝石基板及氮化物半导体发光元件 [P]. 
成田准也 ;
冈田卓也 ;
若井阳平 ;
井上芳树 ;
佐幸直也 ;
家段胜好 .
中国专利 :CN106067501B ,2016-11-02
[3]
氮化物半导体基板、半导体装置和氮化物半导体基板的制造方法 [P]. 
成田好伸 .
中国专利 :CN109075212B ,2018-12-21
[4]
氮化物半导体基板、半导体装置和氮化物半导体基板的制造方法 [P]. 
成田好伸 .
中国专利 :CN108886063B ,2018-11-23
[5]
蓝宝石衬底、使用该蓝宝石衬底的氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法 [P]. 
罗伯特·大卫·阿米蒂奇 ;
近藤行广 ;
平山秀树 .
中国专利 :CN101528991B ,2009-09-09
[6]
氮化物半导体生长用基板及其制造方法、氮化物半导体外延基板、以及氮化物半导体元件 [P]. 
藤仓序章 ;
松田三智子 ;
今野泰一郎 .
中国专利 :CN103050597A ,2013-04-17
[7]
III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法 [P]. 
住田行常 ;
藤山泰治 ;
后藤裕辉 ;
中川拓哉 ;
石原裕次郎 .
中国专利 :CN110100304A ,2019-08-06
[8]
III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法 [P]. 
住田行常 ;
藤山泰治 .
中国专利 :CN110168701A ,2019-08-23
[9]
III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法 [P]. 
住田行常 ;
藤山泰治 ;
后藤裕辉 ;
中川拓哉 ;
石原裕次郎 .
中国专利 :CN110088364A ,2019-08-02
[10]
蓝宝石基板、外延基板及半导体装置 [P]. 
津田道信 ;
井村将隆 ;
本盐彰 ;
岩谷素显 ;
上山智 ;
天野浩 ;
赤崎勇 .
中国专利 :CN1744301A ,2006-03-08