氮化物半导体生长用基板及其制造方法、氮化物半导体外延基板、以及氮化物半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210390922.9

申请日：

2012-10-15

公开(公告)号：

CN103050597A

公开(公告)日：

2013-04-17

发明(设计)人：

藤仓序章松田三智子今野泰一郎

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

钟晶;於毓桢

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

第Ⅲ族氮化物半导体生长基板、第Ⅲ族氮化物半导体外延基板、第Ⅲ族氮化物半导体元件、第Ⅲ族氮化物半导体自立基板及它们的制造方法 [P].

鸟羽隆一 ;

宫下雅仁 ;

丰田达宪 .

中国专利 :CN102326228A ,2012-01-18

[2]

氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法 [P].

荒木正浩 ;

吉田慎也 ;

泷口治久 ;

小河淳 ;

木下多贺雄 ;

村田彻 ;

船木毅 ;

布袋田畅行 .

中国专利 :CN103403886A ,2013-11-20

[3]

氮化物半导体、其制造方法以及氮化物半导体元件 [P].

川口靖利 ;

石桥明彦 ;

辻村步 ;

大塚信之 .

中国专利 :CN1515036A ,2004-07-21

[4]

氮化物半导体基板及氮化物半导体基板的制造方法 [P].

萩本和德 ;

久保埜一平 .

日本专利 :CN118215987A ,2024-06-18

[5]

氮化物半导体基板及氮化物半导体基板的制造方法 [P].

久保野一平 ;

萩本和德 ;

北爪大地 .

日本专利 :CN118900941A ,2024-11-05

[6]

氮化物半导体层叠体和氮化物半导体元件的制造方法以及氮化物半导体元件 [P].

吉川阳 ;

张梓懿 ;

久志本真希 ;

屉冈千秋 ;

天野浩 .

日本专利 :CN121058136A ,2025-12-02

[7]

氮化物半导体元件及氮化物半导体装置 [P].

方韬钧 .

日本专利 :CN117913087A ,2024-04-19

[8]

氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片 [P].

彦坂年辉 ;

吉田学史 ;

名古肇 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104779329A ,2015-07-15

[9]

氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置 [P].

太田征孝 ;

神川刚 .

中国专利 :CN101997268A ,2011-03-30

[10]

氮化物半导体元件及其制造方法和氮化物半导体基板的制造方法 [P].

菅原岳 ;

川口靖利 ;

石桥明彦 ;

横川俊哉 ;

松原敦 .

中国专利 :CN1739225A ,2006-02-22

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583295197 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2012103909229 申请日:20121015
2013-04-17	公开	公开
2015-09-02	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101720029165 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2012103909229 变更事项:申请人变更前权利人:日立金属株式会社变更后权利人:株式会社赛奥科思变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本茨城县登记生效日:20150810
2014-03-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101698843868 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2012103909229 变更事项:申请人变更前权利人:日立电线株式会社变更后权利人:日立金属株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都登记生效日:20140225
2017-03-01	授权	授权
2016-03-02	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:株式会社赛奥科思变更后权利人:住友化学株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本茨城县变更后权利人:日本东京都号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101728883387 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2012103909229 登记生效日:20160215