氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180068639.8

申请日：

2011-12-21

公开(公告)号：

CN103403886A

公开(公告)日：

2013-11-20

发明(设计)人：

荒木正浩吉田慎也泷口治久小河淳木下多贺雄村田彻船木毅布袋田畅行

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

H01L21205 H01L21338 H01L29778 H01L29812 H01L3332

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

岳雪兰

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-10	授权	授权
2013-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101551937061 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2011800686398 申请日:20111221
2013-11-20	公开	公开
2017-08-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101756948664 IPC(主分类):H01L 33/22 专利号:ZL2011800686398 登记生效日:20170724 变更事项:专利权人变更前权利人:夏普株式会社变更后权利人:晶元光电股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:中国台湾新竹市

共 50 条

[1]

氮化物半导体元件和氮化物半导体元件的制造方法 [P].

和田贡 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN111587492A ,2020-08-25

[2]

氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件制造方法 [P].

中原健 ;

山口敦司 .

中国专利 :CN101305478A ,2008-11-12

[3]

氮化物半导体层叠体和氮化物半导体元件的制造方法以及氮化物半导体元件 [P].

吉川阳 ;

张梓懿 ;

久志本真希 ;

屉冈千秋 ;

天野浩 .

日本专利 :CN121058136A ,2025-12-02

[4]

氮化物半导体元件的制造方法和氮化物半导体元件 [P].

长滨慎一 ;

佐野雅彦 ;

柳本友弥 ;

坂本惠司 ;

山本正司 ;

森田大介 .

中国专利 :CN1290153C ,2004-02-18

[5]

氮化物半导体元件及氮化物半导体装置 [P].

方韬钧 .

日本专利 :CN117913087A ,2024-04-19

[6]

氮化物半导体、其制造方法以及氮化物半导体元件 [P].

川口靖利 ;

石桥明彦 ;

辻村步 ;

大塚信之 .

中国专利 :CN1515036A ,2004-07-21

[7]

氮化物半导体发光元件的制造方法以及氮化物半导体发光元件 [P].

竹内哲也 ;

柴田夏奈 ;

岩谷素显 ;

上山智 ;

仓本大 .

日本专利 :CN118715680A ,2024-09-27

[8]

氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

神川刚 ;

川口佳伸 .

中国专利 :CN100592583C ,2007-10-31

[9]

氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

竹内哲也 ;

小林宪汰 ;

柴田夏奈 ;

岩谷素显 ;

上山智 ;

仓本大 .

日本专利 :CN119013858A ,2024-11-22

[10]

氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

神川刚 ;

川口佳伸 .

中国专利 :CN101794965B ,2010-08-04

← 1 2 3 4 5 →