氮化物半导体元件和氮化物半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880084421.3

申请日：

2018-10-31

公开(公告)号：

CN111587492A

公开(公告)日：

2020-08-25

发明(设计)人：

和田贡希利尔·贝诺

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L21205

代理机构：

北京市隆安律师事务所 11323

代理人：

徐谦;刘宁军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-25	公开	公开
2020-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20181031

共 50 条

[1]

氮化物半导体元件的制造方法和氮化物半导体元件 [P].

长滨慎一 ;

佐野雅彦 ;

柳本友弥 ;

坂本惠司 ;

山本正司 ;

森田大介 .

中国专利 :CN1290153C ,2004-02-18

[2]

氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法 [P].

荒木正浩 ;

吉田慎也 ;

泷口治久 ;

小河淳 ;

木下多贺雄 ;

村田彻 ;

船木毅 ;

布袋田畅行 .

中国专利 :CN103403886A ,2013-11-20

[3]

氮化物半导体激光元件和氮化物半导体元件 [P].

松山裕司 ;

铃木真二 ;

伊势康介 ;

道上敦生 ;

米田章法 .

中国专利 :CN1677778A ,2005-10-05

[4]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

古泽优太 ;

和田贡 ;

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN111066161A ,2020-04-24

[5]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

古泽优太 ;

和田贡 ;

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN111095579A ,2020-05-01

[6]

氮化物半导体层叠体和氮化物半导体元件的制造方法以及氮化物半导体元件 [P].

吉川阳 ;

张梓懿 ;

久志本真希 ;

屉冈千秋 ;

天野浩 .

日本专利 :CN121058136A ,2025-12-02

[7]

氮化物半导体元件、氮化物半导体层叠体的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法 [P].

吉川阳 ;

张梓懿 ;

久志本真希 ;

屉冈千秋 ;

天野浩 .

日本专利 :CN120981989A ,2025-11-18

[8]

氮化物半导体元件、氮化物半导体层叠体的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法 [P].

吉川阳 ;

张梓懿 ;

久志本真希 ;

屉冈千秋 ;

天野浩 .

日本专利 :CN120981988A ,2025-11-18

[9]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河義典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN1941436A ,2007-04-04

[10]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河義典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN1292934A ,2001-04-25

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