氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680041787.X

申请日：

2006-11-07

公开(公告)号：

CN101305478A

公开(公告)日：

2008-11-12

发明(设计)人：

中原健山口敦司

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-11-12	公开	公开
2010-08-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101006990708 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:200680041787X 公开日:20081112

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件的制造方法以及氮化物半导体发光元件 [P].

竹内哲也 ;

柴田夏奈 ;

岩谷素显 ;

上山智 ;

仓本大 .

日本专利 :CN118715680A ,2024-09-27

[2]

氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

神川刚 ;

川口佳伸 .

中国专利 :CN100592583C ,2007-10-31

[3]

氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

竹内哲也 ;

小林宪汰 ;

柴田夏奈 ;

岩谷素显 ;

上山智 ;

仓本大 .

日本专利 :CN119013858A ,2024-11-22

[4]

氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

神川刚 ;

川口佳伸 .

中国专利 :CN101794965B ,2010-08-04

[5]

氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置 [P].

佐藤恒辅 .

中国专利 :CN110391320B ,2019-10-29

[6]

氮化物半导体发光元件 [P].

中原健 ;

伊藤范和 ;

堤一阳 .

中国专利 :CN101449393A ,2009-06-03

[7]

氮化物半导体发光元件 [P].

中原健 ;

伊藤范和 ;

堤一阳 .

中国专利 :CN101449394A ,2009-06-03

[8]

氮化物半导体发光元件 [P].

中原健 ;

伊藤范和 ;

堤一阳 .

中国专利 :CN101449395A ,2009-06-03

[9]

氮化物半导体发光元件 [P].

中原健 .

中国专利 :CN101375419A ,2009-02-25

[10]

氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

冈田卓也 .

日本专利 :CN119208471A ,2024-12-27

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