氮化物半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680054738.X

申请日：

2006-05-26

公开(公告)号：

CN101449395A

公开(公告)日：

2009-06-03

发明(设计)人：

中原健伊藤范和堤一阳

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01S5343

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2009-06-03	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件 [P].

中原健 ;

伊藤范和 ;

堤一阳 .

中国专利 :CN101449393A ,2009-06-03

[2]

氮化物半导体发光元件 [P].

中原健 ;

伊藤范和 ;

堤一阳 .

中国专利 :CN101449394A ,2009-06-03

[3]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

日本专利 :CN114388665B ,2025-06-27

[4]

氮化物半导体发光元件 [P].

吴永胜 ;

汪雪琴 ;

刘德意 .

中国专利 :CN110137322A ,2019-08-16

[5]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN114388665A ,2022-04-22

[6]

氮化物半导体发光元件 [P].

平野光 ;

长泽阳祐 .

中国专利 :CN111373552A ,2020-07-03

[7]

氮化物半导体发光元件 [P].

吴永胜 ;

张帆 ;

林新 .

中国专利 :CN110120447A ,2019-08-13

[8]

氮化物半导体发光元件 [P].

中原健 .

中国专利 :CN101375419A ,2009-02-25

[9]

氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件制造方法 [P].

中原健 ;

山口敦司 .

中国专利 :CN101305478A ,2008-11-12

[10]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体的制造方法 [P].

中西康夫 ;

中田俊次 ;

藤原彻也 ;

千田和彦 ;

园部雅之 .

中国专利 :CN101689586A ,2010-03-31

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