氮化物半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780003372.8

申请日：

2007-01-23

公开(公告)号：

CN101375419A

公开(公告)日：

2009-02-25

发明(设计)人：

中原健

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-01-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101061481251 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2007800033728 公开日:20090225
2009-02-25	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件 [P].

中原健 ;

伊藤范和 ;

堤一阳 .

中国专利 :CN101449393A ,2009-06-03

[2]

氮化物半导体发光元件 [P].

中原健 ;

伊藤范和 ;

堤一阳 .

中国专利 :CN101449394A ,2009-06-03

[3]

氮化物半导体发光元件 [P].

中原健 ;

伊藤范和 ;

堤一阳 .

中国专利 :CN101449395A ,2009-06-03

[4]

氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件制造方法 [P].

中原健 ;

山口敦司 .

中国专利 :CN101305478A ,2008-11-12

[5]

氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置 [P].

佐藤恒辅 .

中国专利 :CN110391320B ,2019-10-29

[6]

氮化物半导体发光元件 [P].

黄宝亿 ;

朱广敏 ;

付小朝 ;

季辉 ;

丁晓民 .

中国专利 :CN101207167B ,2008-06-25

[7]

氮化物半导体发光元件 [P].

谷善彦 ;

竹冈忠士 ;

栗栖彰宏 ;

花本哲也 ;

马修.先尼 .

中国专利 :CN104272477B ,2015-01-07

[8]

氮化物半导体发光元件 [P].

小幡俊之 .

中国专利 :CN105009310A ,2015-10-28

[9]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

日本专利 :CN114388665B ,2025-06-27

[10]

氮化物半导体发光元件 [P].

驹田聪 .

中国专利 :CN102097551B ,2011-06-15

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