氮化物半导体发光元件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201480007418.3
申请日
2014-02-03
公开(公告)号
CN105009310A
公开(公告)日
2015-10-28
发明(设计)人
小幡俊之
申请人
申请人地址
日本山口县
IPC主分类号
H01L3332
IPC分类号
H01S5343
代理机构
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人
刘新宇;李茂家
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
川口靖利 ;
吉田真治 ;
冈口贵大 ;
中泽崇一 ;
林茂生 ;
畑雅幸 .
日本专利 :CN117837035A ,2024-04-05
[2]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
松仓勇介 ;
稻津哲彦 ;
希利尔·贝诺 .
日本专利 :CN112420889B ,2024-06-18
[3]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
松仓勇介 ;
稻津哲彦 ;
希利尔·贝诺 .
中国专利 :CN112420889A ,2021-02-26
[4]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
松仓勇介 ;
稻津哲彦 ;
希利尔·贝诺 .
中国专利 :CN112349820A ,2021-02-09
[5]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
松仓勇介 ;
希利尔·贝诺 .
日本专利 :CN115588719B ,2025-11-07
[6]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
松仓勇介 ;
稻津哲彦 ;
希利尔·贝诺 .
日本专利 :CN112349820B ,2024-02-06
[7]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
朝田耕司 ;
冈部德太郎 .
中国专利 :CN108028300A ,2018-05-11
[8]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
松仓勇介 ;
希利尔·贝诺 .
中国专利 :CN115588719A ,2023-01-10
[9]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
平野光 ;
长泽阳祐 .
中国专利 :CN111373552A ,2020-07-03
[10]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
松仓勇介 ;
稻津哲彦 ;
希利尔·贝诺 .
日本专利 :CN117637952A ,2024-03-01