氮化物半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680055494.0

申请日：

2016-09-21

公开(公告)号：

CN108028300A

公开(公告)日：

2018-05-11

发明(设计)人：

朝田耕司冈部德太郎

申请人：

申请人地址：

日本德岛县

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3306

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

张毅群

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20160921
2018-05-11	公开	公开
2020-09-04	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件 [P].

小幡俊之 .

中国专利 :CN105009310A ,2015-10-28

[2]

氮化物半导体发光元件 [P].

川口靖利 ;

吉田真治 ;

冈口贵大 ;

中泽崇一 ;

林茂生 ;

畑雅幸 .

日本专利 :CN117837035A ,2024-04-05

[3]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

稻津哲彦 ;

希利尔·贝诺 .

日本专利 :CN112420889B ,2024-06-18

[4]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

稻津哲彦 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN112420889A ,2021-02-26

[5]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

稻津哲彦 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN112349820A ,2021-02-09

[6]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

日本专利 :CN115588719B ,2025-11-07

[7]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

稻津哲彦 ;

希利尔·贝诺 .

日本专利 :CN112349820B ,2024-02-06

[8]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN115588719A ,2023-01-10

[9]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

稻津哲彦 ;

希利尔·贝诺 .

日本专利 :CN117637952A ,2024-03-01

[10]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

稻津哲彦 ;

希利尔·贝诺 .

日本专利 :CN117637951A ,2024-03-01

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